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Publication list for members of
E360 - Institute for Microelectronics
as any persons named in the publication record
159 records
159. | X. Klemenschits: "Emulation and Simulation of Microelectronic Fabrication Processes"; Reviewer: L. Filipovic, A. Erdmann, H. Pottmann; Institut für Mikroelektronik, 2022, oral examination: 08.04.2022. BibTeX |
158. | M. Quell: "Parallel Velocity Extension and Load-Balanced Re-Distancing on Hierarchical Grids for High Performance Process TCAD"; Reviewer: J. Weinbub, E. Gröller, M. Sussman; Institut für Mikroelektronik, 2022, oral examination: 13.01.2022 doi:10.34726/hss.2022.97084. BibTeX |
157. | B. Ruch: "Hot-Carrier Degradation in Planar and Trench Si-MOSFETs"; Reviewer: T. Grasser, C. Jungemann, P. Hadley; Institut für Mikroelektronik, 2021, oral examination: 15.03.2021. BibTeX |
156. | A. Toifl: "Numerical Methods for Three-Dimensional Selective Epitaxy and Anisotropic Wet Etching Simulations"; Reviewer: J. Weinbub, U. Schmid, L.-T. Cheng; Institut für Mikroelektronik, 2021, oral examination: 19.08.2021 doi:10.34726/hss.2021.91744. BibTeX |
155. | T. Knobloch: "On the Electrical Stability of 2D Material-Based Field-Effect Transistors"; Reviewer: T. Grasser, P. Hurley, G. Düsberg; Institut für Mikroelektronik, 2021, oral examination: 22.12.2021. BibTeX |
154. | P. Sharma: "Predictive and Efficient Modeling of Hot Carrier Degradation with Drift-Diffusion Based Carrier Transport Models"; Reviewer: T. Grasser, S. Reggiani, A. Bravaix; Institut für Mikroelektronik, 2021, oral examination: 26.02.2021. BibTeX |
153. | B. Stampfer: "Advanced Electrical Characterization of Charge Trapping in MOS Transistors"; Reviewer: T. Grasser, M. Nafria Maqueda, F. M. Puglisi; Institut für Mikroelektronik, 2020, oral examination: 04.12.2020 doi:10.34726/hss.2020.86423. BibTeX |
152. | J. Berens: "Carrier Mobility and Reliability of 4H-SiC Trench MOSFETs"; Reviewer: T. Grasser, J. Cooper, P. Pichler; Institut für Mikroelektronik, 2020, oral examination: 22.12.2020 doi:10.34726/hss.2021.86487. BibTeX |
151. | L. Gnam: "High Performance Mesh Adaptation for Technology Computer-Aided Design"; Reviewer: J. Weinbub, J. Schöberl, N. Hitschfeld Kahler; Institut für Mikroelektronik, 2020, oral examination: 24.03.2020 doi:10.34726/hss.2020.76784. BibTeX |
150. | K. Waschneck: "Modeling Bias Temperature Instability in Si and SiC MOSFETs using Activation Energy Maps"; Reviewer: T. Grasser, J. Schmitz, S. Reggiani; Institut für Mikroelektronik, 2020, oral examination: 07.12.2020 doi:10.34726/hss.2020.84645. BibTeX |
149. | O. Baumgartner: "Numerical Modeling of Multilayer Semiconductor Devices"; Reviewer: H. Kosina, W. Weber, C. Sampedro; Institut für Mikroelektronik, 2020, oral examination: 05.03.2020. BibTeX |
148. | M. Jech: "The Physics of Non-Equilibrium Reliability Phenomena"; Reviewer: T. Grasser, M. Luisier, A. Bravaix; Institut für Mikroelektronik, 2020, oral examination: 19.11.2020 doi:10.34726/hss.2020.85163. BibTeX |
147. | M. Kampl: "Investigating Hot-Carrier Effects using the Backward Monte Carlo Method"; Reviewer: H. Kosina, A. Garcia Loureiro, G. Hobler; Institut für Mikroelektronik, 2019, oral examination: 05.04.2019 doi:10.34726/hss.2019.65003. BibTeX |
146. | C Koller: "The Role of Carbon in Creating Insulating Behavior in GaN-on-Si Buffers: A Physical Model"; Reviewer: D. Pogany, T. Grasser, T. Uren; Institut für Festkörperelektronik, 2019, oral examination: 22.01.2019 doi:10.34726/hss.2018.44481. BibTeX |
145. | G. Rescher: "Behavior of SiC-MOSFETs under Temperature and Voltage Stress"; Reviewer: T. Grasser, P. Hadley, J. Cooper; Institut für Mikroelektronik, 2018, oral examination: 13.11.2018 doi:10.34726/hss.2018.60783. BibTeX |
144. | A. Grill: "Charge Trapping and Single-Defect Extraction in Gallium-Nitride Based MIS-HEMTs"; Reviewer: T. Grasser, G. Meneghesso, D. Pogany; Institut für Mikroelektronik, 2018, oral examination: 22.10.2018 doi:10.34726/hss.2018.60228. BibTeX |
143. | P. Manstetten: "Efficient Flux Calculations for Topography Simulation"; Reviewer: S. Selberherr, J. Weinbub, M. Wimmer, H. Köstler; Institut für Mikroelektronik, 2018, oral examination: 28.06.2018 doi:10.34726/hss.2018.57263. BibTeX |
142. | G. Rzepa: "Efficient Physical Modeling of Bias Temperature Instability"; Reviewer: T. Grasser, L. Larcher, F. Crupi; Institut für Mikroelektronik, 2018, oral examination: 27.06.2018 doi:10.34726/hss.2018.57326. BibTeX |
141. | B. Ullmann: "Mixed Negative Bias Temperature Instability and Hot-Carrier Stress"; Reviewer: T. Grasser, J. Schmitz, S. Reggiani; Institut für Mikroelektronik, 2018, oral examination: 28.06.2018 doi:10.34726/hss.2018.57328. BibTeX |
140. | G.A. Rott: "Negative Bias Temperature Instability and Hot-Carrier Degradation of 130 nm Technology Transistors including Recovery Effects"; Reviewer: T. Grasser, J. Schmitz, S. Reggiani; Institut für Mikroelektronik, 2018, oral examination: 28.06.2018 doi:10.34726/hss.2018.57329. BibTeX |
139. | V. Simonka: "Thermal Oxidation and Dopant Activation of Silicon Carbide"; Reviewer: S. Selberherr, J. Weinbub, Y. Hijikata, U. Schmid; Institut für Mikroelektronik, 2018, oral examination: 05.11.2018 doi:10.34726/hss.2018.60302. BibTeX |
138. | Y. Wimmer: "Hydrogen Related Defects in Amorphous SiO2 and the Negative Bias Temperature Instability"; Reviewer: T. Grasser, M. Watkins, P. Mohn; Institut für Mikroelektronik, 2017, oral examination: 27.11.2017 doi:10.34726/hss.2017.51306. BibTeX |
137. | R. Stradiotto: "Characterization of Electrically Active Defects at III-N/Dielectric Interfaces"; Reviewer: T. Grasser, G. Meneghesso; Institut für Mikroelektronik, 2016, oral examination: 16.12.2016 doi:10.34726/hss.2016.41581. BibTeX |
136. | M. Rovitto: "Electromigration Reliability Issue in Interconnects for Three-Dimensional Integration Technologies"; Reviewer: H. Ceric, K. Weide-Zaage; Institut für Mikroelektronik, 2016, oral examination: 13.12.2016. BibTeX |
135. | W. H. Zisser: "Electromigration in Interconnect Structures"; Reviewer: S. Selberherr, M. Kaltenbacher; Institut für Mikroelektronik, 2016, oral examination: 21.06.2016 doi:10.34726/hss.2016.37905. BibTeX |
134. | M. Waltl: "Experimental Characterization of Bias Temperature Instabilities in Modern Transistor Technologies"; Reviewer: T. Grasser, D. Schmitt-Landsiedel; Institut für Mikroelektronik, 2016, oral examination: 09.09.2016 doi:10.34726/hss.2016.38201. BibTeX |
133. | S. Papaleo: "Mechanical Reliability of Open Through Silicon Via Structures for Integrated Circuits"; Reviewer: H. Ceric, O. Thomas; Institut für Mikroelektronik, 2016, oral examination: 19.12.2016. BibTeX |
132. | J. Ghosh: "Modeling Spin-Dependent Transport in Silicon"; Reviewer: V. Sverdlov, M. Bescond; Institut für Mikroelektronik, 2016, oral examination: 03.03.2016. BibTeX |
131. | Z. Stanojevic: "Physical Mobility Modeling for TCAD Device Simulation"; Reviewer: H. Kosina, F. Gamiz; Institut für Mikroelektronik, 2016, oral examination: 26.09.2016. BibTeX |
130. | F. Rudolf: "Symmetry- and Similarity-Aware Volumetric Meshing"; Reviewer: S. Selberherr, J. Weinbub, H. Pottmann; Institut für Mikroelektronik, 2016, oral examination: 10.11.2016 doi:10.34726/hss.2016.40647. BibTeX |
129. | P. Ellinghaus: "Two-Dimensional Wigner Monte Carlo Simulation for Time-Resolved Quantum Transport with Scattering"; Reviewer: S. Selberherr, I. Dimov; Institut für Mikroelektronik, 2016, oral examination: 25.02.2016 doi:10.34726/hss.2016.35764. BibTeX |
128. | Yu. Illarionov: "Characterization and Modeling of Charged Defects in Silicon and 2D Field-Effect Transistors"; Reviewer: T. Grasser, L. Larcher; Institut für Mikroelektronik, 2015, oral examination: 18.12.2015 doi:10.34726/hss.2016.34580. BibTeX |
127. | R. Coppeta: "Dislocation Modeling in III-Nitrides"; Reviewer: T. Grasser, A. Köck; Institut für Mikroelektronik, 2015, oral examination: 15.06.2016 doi:10.34726/hss.2015.30571. BibTeX |
126. | M. Moradinasab: "Optical Properties of Semiconductor Nanostructures"; Reviewer: H. Kosina, T. Fromherz; Institut für Mikroelektronik, 2015, oral examination: 24.04.2015 doi:10.34726/hss.2015.29704. BibTeX |
125. | Yu. Illarionov: "Tunnel Carrier Transport and Related Physical Phenomena in Gold - Calcium Fluoride - Silicon (111) Structures"; Reviewer: M. I. Vexler, A. Baraban, L. Goray; Ioffe Institute, 2015, oral examination: 22.01.2015. BibTeX |
124. | A. P. Singulani: "Advanced Methods for Mechanical Analysis and Simulation of Through Silicon Vias"; Reviewer: S. Selberherr, O. Thomas; Institut für Mikroelektronik, 2014, oral examination: 07.07.2014 doi:10.34726/hss.2014.24806. BibTeX |
123. | M. Bina: "Charge Transport Models for Reliability Engineering of Semiconductor Devices"; Reviewer: T. Grasser, C. Jungemann; Institut für Mikroelektronik, 2014, oral examination: 25.03.2014 doi:10.34726/hss.2014.24463. BibTeX |
122. | H. Mahmoudi: "Devices and Circuits for Stateful Logic and Memristive Sensing Applications"; Reviewer: V. Sverdlov, B. Meinerzhagen; Institut für Mikroelektronik, 2014, oral examination: 28.04.2014 doi:10.34726/hss.2014.24465. BibTeX |
121. | J. Weinbub: "Frameworks for Micro- and Nanoelectronics Device Simulation"; Reviewer: S. Selberherr, A. Asenov; Institut für Mikroelektronik, 2014, oral examination: 17.02.2014 doi:10.34726/hss.2014.23675. BibTeX |
120. | D. Osintsev: "Modeling Spintronic Effects in Silicon"; Reviewer: V. Sverdlov, D. Süss; Institut für Mikroelektronik, 2014, oral examination: 28.05.2014 doi:10.34726/hss.2014.24842. BibTeX |
119. | A. Makarov: "Modeling of Emerging Resistive Switching Based Memory Cells"; Reviewer: V. Sverdlov, S. Cristoloveanu; Institut für Mikroelektronik, 2014, oral examination: 18.03.2014 doi:10.34726/hss.2014.23875. BibTeX |
118. | F. Schanovsky: "Atomistic Modeling in the Context of the Bias Temperature Instability"; Reviewer: T. Grasser, A. Schenk; Institut für Mikroelektronik, 2013, oral examination: 19.03.2013 doi:10.34726/hss.2013.28781. BibTeX |
117. | I. Starkov: "Comprehensive Physical Modeling of Hot-Carrier Induced Degradation"; Reviewer: T. Grasser, M. Gröschl; Institut für Mikroelektronik, 2013, oral examination: 14.01.2013. BibTeX |
116. | G. Pobegen: "Degradation of Electrical Parameters of Power Semiconductor Devices - Process Influences and Modeling"; Reviewer: T. Grasser, P. Hadley; Institut für Mikroelektronik, 2013, oral examination: 05.12.2013 doi:10.34726/hss.2013.11338322. BibTeX |
115. | Rui Huang: "Stress and Microstructural Evolution of Electroplated Copper Films"; Reviewer: T. Grasser, G. Dehm; Institut für Mikroelektronik, 2013, oral examination: 09.01.2013. BibTeX |
114. | H. Karamitaheri: "Thermal and Thermoelectric Properties of Nanostructures"; Reviewer: H. Kosina, E. Bauer; Institut für Mikroelektronik, 2013, oral examination: 18.07.2013 doi:10.34726/hss.2013.29976. BibTeX |
113. | O. Triebl: "Reliability Issues in High-Voltage Semiconductor Devices"; Reviewer: T. Grasser, M. Gröschl; Institut für Mikroelektronik, 2012, oral examination: 24.10.2012 doi:10.34726/hss.2012.27576. BibTeX |
112. | L. Filipovic: "Topography Simulation of Novel Processing Techniques"; Reviewer: S. Selberherr, D. Vasileska; Institut für Mikroelektronik, 2012, oral examination: 17.12.2012. BibTeX |
111. | Ph. Hehenberger: "Advanced Characterization of the Bias Temperature Instability"; Reviewer: T. Grasser, M. Gröschl; Institut für Mikroelektronik, 2011, oral examination: 14.12.2011 doi:10.34726/hss.2011.24894. BibTeX |
110. | K. Rupp: "Deterministic Numerical Solution of the Boltzmann Transport Equation"; Reviewer: T. Grasser, C. Jungemann; Institut für Mikroelektronik, 2011, oral examination: 19.12.2011 doi:10.34726/hss.2011.24957. BibTeX |
109. | W. Gös: "Hole Trapping and the Negative Bias Temperature Instability"; Reviewer: T. Grasser, D. Süss; Institut für Mikroelektronik, 2011, oral examination: 22.12.2012 doi:10.34726/hss.2011.25057. BibTeX |
108. | G. Milovanovic: "Numerical Modeling of Quantum Cascade Lasers"; Reviewer: H. Kosina, D. Süss; Institut für Mikroelektronik, 2011, oral examination: 30.03.2011 doi:10.34726/hss.2011.22142. BibTeX |
107. | P. Schwaha: "Beyond Atavistic Structures in Scientific Computing"; Reviewer: S. Selberherr, I. Dimov; Institut für Mikroelektronik, 2010, oral examination: 22.12.2010 doi:10.34726/hss.2010.21210. BibTeX |
106. | R. Orio: "Electromigration Modeling and Simulation"; Reviewer: S. Selberherr, J. W. Swart; Institut für Mikroelektronik, 2010, oral examination: 04.06.2010. BibTeX |
105. | T. Windbacher: "Engineering Gate Stacks for Field-Effect Transistors"; Reviewer: S. Selberherr, J. Summhammer; Institut für Mikroelektronik, 2010, oral examination: 25.06.2010. BibTeX |
104. | O. Ertl: "Numerical Methods for Topography Simulation"; Reviewer: S. Selberherr, D. Süss; Institut für Mikroelektronik, 2010, oral examination: 07.05.2010 doi:10.34726/hss.2010.001. BibTeX |
103. | T. Aichinger: "On the Role of Hydrogen in Silicon Device Degradation and Metalization Processing"; Reviewer: T. Grasser, H. Hutter; Institut für Mikroelektronik, 2010, oral examination: 01.09.2010 doi:10.34726/hss.2010.20283. BibTeX |
102. | S. Vitanov: "Simulation of High Electron Mobility Transistors"; Reviewer: S. Selberherr, R. Quay; Institut für Mikroelektronik, 2010, oral examination: 20.12.2010 doi:10.34726/hss.2010.21514. BibTeX |
101. | M. Vasicek: "Advanced Macroscopic Transport Models"; Reviewer: T. Grasser, J. Summhammer; Institut für Mikroelektronik, 2009, oral examination: 12.10.2009 doi:10.34726/hss.2009.17390. BibTeX |
100. | G. Karlowatz: "Advanced Monte Carlo Simulation for Semiconductor Devices"; Reviewer: H. Kosina, E. Benes; Institut für Mikroelektronik, 2009, oral examination: 24.06.2009 doi:10.34726/hss.2009.16312. BibTeX |
99. | C. Poschalko: "The Simulation of Emission from Printed Circuit Boards under a Metallic Cover"; Reviewer: S. Selberherr, G. Brasseur; Institut für Mikroelektronik, 2009, oral examination: 20.11.2009 doi:10.34726/hss.2009.17297. BibTeX |
98. | L. Li: "Charge Transport in Organic Semiconductor Materials and Devices"; Reviewer: H. Kosina, D. Süss; Institut für Mikroelektronik, 2008, oral examination: 08.02.2008 doi:10.34726/hss.2007.06698444. BibTeX |
97. | A. Nentchev: "Numerical Analysis and Simulation in Microelectronics by Vector Finite Elements"; Reviewer: S. Selberherr, H. Haas; Institut für Mikroelektronik, 2008, oral examination: 31.01.2008 doi:10.34726/hss.2008.10738. BibTeX |
96. | M. Spevak: "On the Specification and the Assembly of Discretized Differential Equations"; Reviewer: S. Selberherr, D. Praetorius; Institut für Mikroelektronik, 2008, oral examination: 03.03.2008 doi:10.34726/hss.2008.10851. BibTeX |
95. | E. Ungersböck: "Advanced Modeling of Strained CMOS Technology"; Reviewer: H. Kosina, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2007, oral examination: 23.04.2007 doi:10.34726/hss.2007.8326. BibTeX |
94. | J. Schweda: "Analysis of Shift Mechanisms in BiCMOS Hall Devices with Scope of a Precise SPICE Simulation Model"; Reviewer: K. Riedling, S. Selberherr; Institut für Sensor- und Aktuatorsysteme, 2007, oral examination: 16.04.2007. BibTeX |
93. | S. Dhar: "Analytical Mobility Models for Strained Silicon-Based Devices"; Reviewer: H. Kosina, G. Magerl; Institut für Mikroelektronik, 2007, oral examination: 30.08.2007 doi:10.34726/hss.2007.9404. BibTeX |
92. | R. Heinzl: "Concepts for Scientific Computing"; Reviewer: S. Selberherr, W. Purgathofer; Institut für Mikroelektronik, 2007, oral examination: 18.09.2007 doi:10.34726/hss.2007.9483. BibTeX |
91. | H. Kim: "Design, Simulation and Fabrication of Micro/Nano Functional Structures Using ION Beams"; Reviewer: G. Hobler, H. Kosina; Institut für Festkörperelektronik, 2007, oral examination: 20.04.2007. BibTeX |
90. | W. Wessner: "Mesh Refinement Techniques for TCAD Tools"; Reviewer: S. Selberherr, W. Purgathofer; Institut für Mikroelektronik, 2007, oral examination: 09.01.2007 doi:10.34726/hss.2006.7320. BibTeX |
89. | R. Wittmann: "Miniaturization Problems in CMOS Technology: Investigation of Doping Profiles and Reliability"; Reviewer: S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 2007, oral examination: 27.02.2007 doi:10.34726/hss.2007.7645. BibTeX |
88. | R. Entner: "Modeling and Simulation of Negative Bias Temperature Instability"; Reviewer: T. Grasser, G. Magerl; Institut für Mikroelektronik, 2007, oral examination: 13.08.2007 doi:10.34726/hss.2007.10123. BibTeX |
87. | Ch. Hollauer: "Modelling of Thermal Oxidation and Stress Effects"; Reviewer: S. Selberherr, M. Vellekoop; Institut für Mikroelektronik, 2007, oral examination: 18.04.2007. BibTeX |
86. | M. Pourfath: "Numeric Study of Quantum Transport in Carbon Nanotube-Based Transistors"; Reviewer: H. Kosina, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2007, oral examination: 03.07.2007. BibTeX |
85. | S. Holzer: "Optimization for Enhanced Thermal Technology CAD Purposes"; Reviewer: T. Grasser, H. Schichl; Institut für Mikroelektronik, 2007, oral examination: 28.06.2007 doi:10.34726/hss.2007.8993. BibTeX |
84. | M. Wagner: "Simulation of Thermoelectric Devices"; Reviewer: T. Grasser, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2007, oral examination: 18.12.2007 doi:10.34726/hss.2007.06623909. BibTeX |
83. | R. Minixhofer: "Integration Technology Simulation into the Semiconductor Manufacturing Environment"; Reviewer: S. Selberherr, W. Pribyl; Institut für Mikroelektronik, 2006, oral examination: 31.03.2006 doi:10.34726/hss.2006.5439. BibTeX |
82. | A. Sheikholeslami: "Topography Simulation of Deposition and Etching Processes"; Reviewer: S. Selberherr, K. Riedling; Institut für Mikroelektronik, 2006, oral examination: 06.10.2006. BibTeX |
81. | M. Blaho: "Experimental Characterisation of Smart Power Technology Devices Stressed by High Energy Pulses"; Reviewer: E. Gornik, E. Langer; Institut für Festkörperelektronik, 2005, oral examination: 03.10.2005. BibTeX |
80. | H. Ceric: "Numerical Techniques in Modern TCAD"; Reviewer: S. Selberherr, H. Haas; Institut für Mikroelektronik, 2005, oral examination: 29.04.2005 doi:10.34726/hss.2005.3221. BibTeX |
79. | S. Wagner: "Small-Signal Device and Circuit Simulation"; Reviewer: T. Grasser, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2005, oral examination: 22.04.2005 doi:10.34726/hss.2005.3091. BibTeX |
78. | J.M. Park: "Novel Power Devices for Smart Power Applications"; Reviewer: S. Selberherr, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2004, oral examination: 07.12.2004 doi:10.34726/hss.2004.1715. BibTeX |
77. | R. Kosik: "Numerical Challenges on the Road to NanoTCAD"; Reviewer: T. Grasser, Ch. Schmeiser; Institut für Mikroelektronik, 2004, oral examination: 09.09.2004 doi:10.34726/hss.2004.1116. BibTeX |
76. | T. Ayalew: "SiC Semiconductor Devices Technology, Modeling and Simulation"; Reviewer: S. Selberherr, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2004, oral examination: 26.02.2004 doi:10.34726/hss.2004.04281063. BibTeX |
75. | J. Cervenka: "Three-Dimensional Mesh Generation for Device and Process Simulation"; Reviewer: T. Grasser, H. Haas; Institut für Mikroelektronik, 2004, oral examination: 20.10.2004 doi:10.34726/hss.2004.1458. BibTeX |
74. | S. Smirnov: "Physical Modeling of Electron Transport in Strained Silicon and Silicon-Germanium"; Reviewer: H. Kosina, K. Unterrainer; Institut für Mikroelektronik, 2003, oral examination: 17.12.2003. BibTeX |
73. | A. Gehring: "Simulation of Tunneling in Semiconductor Devices"; Reviewer: S. Selberherr, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2003, oral examination: 05.12.2003. BibTeX |
72. | R. Rodriguez-Torres: "Three-Dimensional Simulation of Split-Drain MAGFETs"; Reviewer: S. Selberherr, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2003, oral examination: 13.05.2003 doi:10.34726/hss.2003.03817587. BibTeX |
71. | M. Gritsch: "Numerical Modeling of Silicon-on-Insulator MOSFETs"; Reviewer: H. Kosina, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 2002, oral examination: 20.12.2002 doi:10.34726/hss.2002.03697025. BibTeX |
70. | C. Harlander: "Numerische Berechnung von Induktivitäten in dreidimensionalen Verdrahtungsstrukturen"; Reviewer: S. Selberherr, H. Haas; Institut für Mikroelektronik, 2002, oral examination: 12.12.2002 doi:10.34726/hss.2002.03696933. BibTeX |
69. | T. Binder: "Rigorous Integration of Semiconductor Process and Device Simulators"; Reviewer: S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 2002, oral examination: 30.12.2002. BibTeX |
68. | C. Heitzinger: "Simulation and Inverse Modeling of Semiconductor Manufacturing Processes"; Reviewer: S. Selberherr, R. Chabicovsky; Institut für Mikroelektronik, 2002, oral examination: 20.12.2002 doi:10.34726/hss.2002.03696962. BibTeX |
67. | R. Klima: "Three-Dimensional Device Simulation with Minimos-NT"; Reviewer: S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 2002, oral examination: 19.12.2002. BibTeX |
66. | R. Quay: "Analysis and Simulation of High Electron Mobility Transistors"; Reviewer: S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 2001, oral examination: 18.09.2001 doi:10.34726/hss.2001.03341873. BibTeX |
65. | R. Sabelka: "Dreidimensionale Finite Elemente Simulation von Verdrahtungsstrukturen auf Integrierten Schaltungen"; Reviewer: S. Selberherr, H. Haas; Institut für Mikroelektronik, 2001, oral examination: 21.05.2001 doi:10.34726/hss.2001.03227950. BibTeX |
64. | K. Dragosits: "Modeling and Simulation of Ferroelectric Devices"; Reviewer: S. Selberherr, H. Hauser; Institut für Mikroelektronik, 2001, oral examination: 29.01.2001 doi:10.34726/hss.2000.03228781. BibTeX |
63. | C. Troger: "Modellierung von Quantisierungseffekten in Feldeffekttransistoren"; Reviewer: S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 2001, oral examination: 18.06.2001. BibTeX |
62. | J. Lorenz: "Diskretisierung und Gittergeneration für die mehrdimensionale Simulation von Implantation und Diffusion"; Reviewer: H. Ryssel, S. Selberherr; Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg und Institut für Mikroelektronik, 2000, oral examination: 28.04.2000. BibTeX |
61. | W. Pyka: "Feature Scale Modeling for Etching and Deposition Processes in Semiconductor Manufacturing"; Reviewer: S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 2000, oral examination: 11.05.2000. BibTeX |
60. | P. Fleischmann: "Mesh Generation for Technology CAD in Three Dimensions"; Reviewer: S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 2000, oral examination: 24.02.2000 doi:10.34726/hss.1999.03012084. BibTeX |
59. | R. Mlekus: "Object-Oriented Algorithm and Model Management in TCAD Applications"; Reviewer: S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 2000, oral examination: 13.01.2000. BibTeX |
58. | M. Stockinger: "Optimization of Ultra-Low-Power CMOS Transistors"; Reviewer: S. Selberherr, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2000, oral examination: 25.01.2000. BibTeX |
57. | V. Palankovski: "Simulation of Heterojunction Bipolar Transistors"; Reviewer: S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 2000, oral examination: 12.12.2000 doi:10.34726/hss.2000.03142613. BibTeX |
56. | A. Hössinger: "Simulation of Ion Implantation for ULSI Technology"; Reviewer: S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 2000, oral examination: 11.09.2000. BibTeX |
55. | T. Grasser: "Mixed-Mode Device Simulation"; Reviewer: S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1999, oral examination: 21.05.1999 doi:10.34726/hss.1999.02581881. BibTeX |
54. | R.M. Escadas Ramos Martins: "On the Design of Very Low Power Integrated Circuits"; Reviewer: S. Selberherr, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 1999, oral examination: 25.02.1999. BibTeX |
53. | R. Plasun: "Optimization of VLSI Semiconductor Devices"; Reviewer: S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 1999, oral examination: 21.10.1999. BibTeX |
52. | R. Strasser: "Rigorous TCAD Investigations on Semiconductor Fabrication Technology"; Reviewer: S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1999, oral examination: 23.06.1999. BibTeX |
51. | M. Rottinger: "Selected Simulations of Semiconductor Structures"; Reviewer: S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1999, oral examination: 25.06.1999. BibTeX |
50. | M. Knaipp: "Modellierung von Temperatureinflüssen in Halbleiterbauelementen"; Reviewer: S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1998, oral examination: 21.10.1998. BibTeX |
49. | H. Brech: "Optimization of GaAs Based High Electron Mobility Transistors by Numerical Simulation"; Reviewer: S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1998, oral examination: 03.04.1998. BibTeX |
48. | H. Kirchauer: "Photolithography Simulation"; Reviewer: S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1998, oral examination: 21.04.1998. BibTeX |
47. | M. Radi: "Three-Dimensional Simulation of Thermal Oxidation"; Reviewer: S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 1998, oral examination: 02.12.1998. BibTeX |
46. | G. Schrom: "Ultra-Low-Power CMOS Technology"; Reviewer: S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1998, oral examination: 07.07.1998. BibTeX |
45. | C. Wasshuber: "About Single-Electron Devices and Circuits"; Reviewer: S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1997, oral examination: 18.02.1997 doi:10.34726/hss.1997.01758304. BibTeX |
44. | E. Leitner: "Diffusionsprozesse in dreidimensionalen Strukturen"; Reviewer: S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1997, oral examination: 05.02.1998. BibTeX |
43. | C. Pichler: "Integrated Semiconductor Technology Analysis"; Reviewer: S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1997, oral examination: 22.05.1997 doi:10.34726/hss.1997.02035427. BibTeX |
42. | C. Köpf: "Modellierung des Elektronentransports in Verbindungshalbleiterlegierungen"; Reviewer: S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1997, oral examination: 16.12.1997 doi:10.34726/hss.1997.02250732. BibTeX |
41. | G. Kaiblinger-Grujin: "Physikalische Modellierung und Monte-Carlo-Simulation der Elektronenbeweglichkeit in Silizium"; Reviewer: S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1997, oral examination: 13.03.1998. BibTeX |
40. | H. Puchner: "Advanced Process Modeling for VLSI Technology"; Reviewer: S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1996, oral examination: 31.05.1996. BibTeX |
39. | G. Rieger: "Ein graphischer Editor für Entwurf von Halbleiterbauteilen"; Reviewer: S. Selberherr, W. Purgathofer; Institut für Mikroelektronik, 1996, oral examination: 23.05.1996. BibTeX |
38. | W. Bohmayr: "Simulation der Ionenimplantation in kristalline Siliziumstrukturen"; Reviewer: S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1996, oral examination: 28.10.1996. BibTeX |
37. | T. Simlinger: "Simulation von Heterostruktur-Feldeffekttransistoren"; Reviewer: S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1996, oral examination: 30.05.1996. BibTeX |
36. | W. Tuppa: "VMAKE - A CASE-Oriented Configuration Management Utility"; Reviewer: S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 1996, oral examination: 28.11.1996. BibTeX |
35. | R. Deutschmann: "Entwicklung eines physikalischen HFET-Modells: Parameterextraktion und Verifikation"; Reviewer: S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1995, oral examination: 10.10.1995. BibTeX |
34. | M. Hackel: "Transport und Injektion von Ladungsträgern in MOS-Strukturen mit der Monte-Carlo Methode"; Reviewer: S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1995, oral examination: 10.10.1995 doi:10.34726/hss.1995.01384981. BibTeX |
33. | N. Khalil: "ULSI Characterization with Technology Computer-Aided Design"; Reviewer: S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1995, oral examination: 31.05.1995. BibTeX |
32. | C. Fischer: "Bauelementsimulation in einer computergestützten Entwurfsumgebung"; Reviewer: S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1994, oral examination: 26.05.1994. BibTeX |
31. | R. Bauer: "Numerische Berechnung von Kapazitäten in dreidimensionalen Verdrahtungsstrukturen"; Reviewer: S. Selberherr, H. Haas; Institut für Mikroelektronik, 1994, oral examination: 16.11.1994. BibTeX |
30. | M. Stiftinger: "Simulation und Modellierung von Hochvolt-DMOS-Transistoren"; Reviewer: S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1994, oral examination: 06.10.1994. BibTeX |
29. | E. Strasser: "Simulation von Topographieprozessen in der Halbleiterfertigung"; Reviewer: S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1994, oral examination: 17.11.1994. BibTeX |
28. | S. Halama: "The Viennese Integrated System for Technology CAD Applications"; Reviewer: S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 1994, oral examination: 27.05.1994. BibTeX |
27. | F. Fasching: "The Viennese Integrated System for Technology CAD Applications - Data Level Design and Implementation"; Reviewer: S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 1994, oral examination: 17.11.1994. BibTeX |
26. | H. Brand: "Thermoelektrizität und Hydrodynamik"; Reviewer: S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1994, oral examination: 26.05.1994. BibTeX |
25. | P. Habas: "Analysis of Physical Effects in Small Silicon MOS Devices"; Reviewer: S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1993, oral examination: 17.11.1993. BibTeX |
24. | H. Pimingstorfer: "Integration und Anwendung von Simulatoren in der CMOS-Entwicklung"; Reviewer: S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1993, oral examination: 30.11.1993. BibTeX |
23. | H. Stippel: "Simulation der Ionen-Implantation"; Reviewer: S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1993, oral examination: 17.11.1993. BibTeX |
22. | K. Wimmer: "Two-Dimensional Nonplanar Process Simulation"; Reviewer: S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1993, oral examination: 18.06.1993. BibTeX |
21. | H. Kosina: "Simulation des Ladungstransportes in elektronischen Bauelementen mit Hilfe der Monte-Carlo-Methode"; Reviewer: S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1992, oral examination: 09.06.1992 doi:10.34726/hss.1992.00474269. BibTeX |
20. | O. Heinreichsberger: "Transiente Simulation von Silizium MOSFETs"; Reviewer: S. Selberherr, R. Weiss; Institut für Mikroelektronik, 1992, oral examination: 02.06.1992. BibTeX |
19. | P. Lindorfer: "Numerische Simulation von Galliumarsenid MESFETs"; Reviewer: S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1991, oral examination: 15.03.1991. BibTeX |
18. | P. Dickinger: "Hochvolt DMOS Transistoren: Analyse und Optimierung"; Reviewer: S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1990, oral examination: 15.06.1990. BibTeX |
17. | K. Wagner: "Simulation von Volumenwelleneffekten in SAW-Bauelementen"; Reviewer: F. Seifert, S. Selberherr; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1990, oral examination: 20.03.1990. BibTeX |
16. | J. Demel: "JANAP - Ein Programm zur Simulation von elektrischen Netzwerken"; Reviewer: S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Mikroelektronik, 1989, oral examination: 16.11.1989. BibTeX |
15. | G. Nanz: "Numerische Methoden in der zweidimensionalen Halbleiterbauelementsimulation"; Reviewer: S. Selberherr, R. Weiss; Institut für Mikroelektronik, 1989, oral examination: 23.11.1989. BibTeX |
14. | W. Kausel: "Zweidimensionale transiente Simulation von Halbleiterbauelementen"; Reviewer: S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Mikroelektronik, 1989, oral examination: 02.03.1989. BibTeX |
13. | M. Thurner: "Dreidimensionale Modellierung von MOS-Transistoren"; Reviewer: S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Mikroelektronik, 1988, oral examination: 25.10.1988. BibTeX |
12. | G. Hobler: "Simulation der Ionenimplantation in ein-, zwei- und dreidimensionalen Strukturen"; Reviewer: S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1988, oral examination: 23.11.1988. BibTeX |
11. | A. Seidl: "Zweidimensionale Simulation der lokalen Oxidation von Silizium"; Reviewer: H. Ryssel, S. Selberherr; Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg und Institut für Mikroelektronik, 1988, oral examination: 23.02.1989. BibTeX |
10. | A.R. Baghai-Wadji: "Berechnung der Quellenverteilung zur Anregung von akustischen Wellen in Oberflächenwellenfiltern"; Reviewer: F. Seifert, S. Selberherr; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1987, oral examination: 29.10.1987. BibTeX |
9. | W. Ochsenreiter: "Fehlertolerante Uhrensynchronisation in verteilten Realzeitsystemen"; Reviewer: H. Kopetz, S. Selberherr; TU Wien, 1987, oral examination: 27.05.1987. BibTeX |
8. | O. Männer: "Knotenvariablen-Analyse von Oberflächenwellenfiltern"; Reviewer: F. Seifert, S. Selberherr; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1987, oral examination: 29.09.1987. BibTeX |
7. | E. Langer: "Anregung und Ausbreitung elektroakustischer Wellen in piezoelektrischen Kristallen"; Reviewer: S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1986, oral examination: 28.02.1986. BibTeX |
6. | W. Jüngling: "Entwicklung und Auswertung verbesserter Modelle für die Prozeß- und Bauelementesimulation"; Reviewer: S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1986, oral examination: 05.06.1986. BibTeX |
5. | F. Straker: "Numerische Berechnung von Kapazitäten in hochintegrierten Schaltungen"; Reviewer: S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1985, oral examination: 30.10.1985. BibTeX |
4. | P. Pichler: "Numerische Simulation kritischer Prozeßschritte in der Halbleitertechnik"; Reviewer: S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1985, oral examination: 30.10.1985. BibTeX |
3. | A. Franz: "Numerische Simulation von Leistungsfeldeffekthalbleiterbauelementen"; Reviewer: S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1984, oral examination: 21.11.1984. BibTeX |
2. | G. Franz: "Numerische Simulation von bipolaren Leistungshalbleiterbauelementen"; Reviewer: S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1984, oral examination: 21.11.1984. BibTeX |
1. | S. Selberherr: "Zweidimensionale Modellierung von MOS-Transistoren"; Reviewer: H. Pötzl, F. Paschke; Institut für Physikalische Elektronik, 1981, oral examination: 05.03.1981 doi:10.34726/hss.1981.00317827. BibTeX |