PhD Theses

189.		Fiorentini, S. (2023). Computation of torques in magnetic tunnel junctions Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2023.109800 (reposiTUm)

188.		Lenz, C. (2023). Hierarchical Grid Algorithms for Topography Simulation Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2023.115141 (reposiTUm)

187.		Aguinsky, L. F. (2022). Phenomenological modeling of reactive single-particle transport in semiconductor processing Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2023.107502 (reposiTUm)

186.		Michl, J. D. (2022). Charge trapping and variability in CMOS technologies at cryogenic temperatures Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2022.105545 (reposiTUm)

185.		X. Klemenschits: "Emulation and Simulation of Microelectronic Fabrication Processes"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): L. Filipovic, A. Erdmann, H. Pottmann; Institut für Mikroelektronik, 2022; Rigorosum: 08.04.2022.

184.		Klemenschits, X. (2022). Emulation and simulation of microelectronic fabrication processes Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2022.89324 (reposiTUm)

183.		Schleich, C. (2022). Modeling of defect related reliability phenomena in SiC power-MOSFETs Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2022.105546 (reposiTUm)

182.		Knobloch, T. (2022). On the electrical stability of 2D material-based field-effect transistors Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2022.98523 (reposiTUm)

181.		Quell, M. (2022). Parallel velocity extension and load-balanced Re-distancing on hierarchical grids for high performance process TCAD Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2022.97084 (reposiTUm)

180.		Berens, J. V. (2021). Carrier mobility and reliability of 4H-SiC trench MOSFETs Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2021.86487 (reposiTUm)

179.		B. Ruch: "Hot-Carrier Degradation in Planar and Trench Si-MOSFETs"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, C. Jungemann, P. Hadley; Institut für Mikroelektronik, 2021; Rigorosum: 15.03.2021.

178.		Ruch, B. (2021). Hot-carrier degradation in planar and trench Si-MOSFETs Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2021.89105 (reposiTUm)

177.		Toifl, A. (2021). Numerical methods for three-dimensional selective epitaxy and anisotropic wet etching simulations Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2021.91744 (reposiTUm)

176.		T. Knobloch: "On the Electrical Stability of 2D Material-Based Field-Effect Transistors"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, P. Hurley, G. Düsberg; Institut für Mikroelektronik, 2021; Rigorosum: 22.12.2021.

175.		P. Sharma: "Predictive and Efficient Modeling of Hot Carrier Degradation with Drift-Diffusion Based Carrier Transport Models"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, S. Reggiani, A. Bravaix; Institut für Mikroelektronik, 2021; Rigorosum: 26.02.2021.

174.		Sharma, P. (2020). Predictive and efficient modeling of hot carrier degradation with drift-diffusion based carrier transport models Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2021.88962 (reposiTUm)

173.		Stampfer, B. (2020). Advanced electrical characterization of charge trapping in MOS transistors Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2020.86423 (reposiTUm)

172.		Gnam, L. (2020). High performance mesh adaptation for technology computer-aided design Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2020.76784 (reposiTUm)

171.		Waschneck, K. A. (2020). Modeling Bias temperature instability in Si and SiC MOSFETs using activation energy maps Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2020.84645 (reposiTUm)

170.		O. Baumgartner: "Numerical Modeling of Multilayer Semiconductor Devices"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, W. Weber, C. Sampedro; Institut für Mikroelektronik, 2020; Rigorosum: 05.03.2020.

169.		Baumgartner, O. (2020). Numerical modeling of multilayer semiconductor devices Technische Universität Wien. (reposiTUm)

168.		Jech, M. (2020). The physics of non-equilibrium reliability phenomena Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2020.85163 (reposiTUm)

167.		Kampl, M. (2019). Investigating hot-carrier effects using the backward Monte Carlo method Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2019.65003 (reposiTUm)

166.		C Koller: "The Role of Carbon in Creating Insulating Behavior in GaN-on-Si Buffers: A Physical Model"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): D. Pogany, T. Grasser, T. Uren; Institut für Festkörperelektronik, 2019; Rigorosum: 22.01.2019.

165.		Rescher, G. (2018). Behavior of SiC-MOSFETs under temperature and voltage stress Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2018.60783 (reposiTUm)

164.		Grill, A. (2018). Charge trapping and single-defect extraction in Gallium-Nitride based MIS-HEMTs Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2018.60228 (reposiTUm)

163.		Manstetten, P. L. (2018). Efficient flux calculations for topography simulation Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2018.57263 (reposiTUm)

162.		Rzepa, G. (2018). Efficient physical modeling of bias temperature instability Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2018.57326 (reposiTUm)

161.		Ullmann, B. (2018). Mixed negative bias temperature instability and hot-carrier stress Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2018.57328 (reposiTUm)

160.		Rott, G. A. (2018). Negative bias temperature instability and hot-carrier degradation of 130 nm technology transistors including recovery effects Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2018.57329 (reposiTUm)

159.		Šimonka, V. (2018). Thermal oxidation and dopant activation of silicon carbide Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2018.60302 (reposiTUm)

158.		Wimmer, Y. (2017). Hydrogen related defects in amorphous SiO2 and the negative bias temperature instability Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2017.51306 (reposiTUm)

157.		Illarionov, Y. (2016). Characterization and modeling of charged defects in silicon and 2D field-effect transistors Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2016.34580 (reposiTUm)

156.		Stradiotto, R. (2016). Characterization of electrically active defects at III-N/dielectric interfaces Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2016.41581 (reposiTUm)

155.		M. Rovitto: "Electromigration Reliability Issue in Interconnects for Three-Dimensional Integration Technologies"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Ceric, K. Weide-Zaage; Institut für Mikroelektronik, 2016; Rigorosum: 13.12.2016.

154.		Zisser, W. H. (2016). Electromigration in interconnect structures Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2016.37905 (reposiTUm)

153.		Rovitto, M. (2016). Electromigration reliability issue in interconnects for three-dimensional integration technologies Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2016.41221 (reposiTUm)

152.		Waltl, M. (2016). Experimental characterization of bias temperature instabilities in modern transistor technologies Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2016.38201 (reposiTUm)

151.		S. Papaleo: "Mechanical Reliability of Open Through Silicon Via Structures for Integrated Circuits"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Ceric, O. Thomas; Institut für Mikroelektronik, 2016; Rigorosum: 19.12.2016.

150.		Papaleo, S. (2016). Mechanical Reliability of open through silicon via structures for integrated circuits Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2016.41167 (reposiTUm)

149.		J. Ghosh: "Modeling Spin-Dependent Transport in Silicon"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): V. Sverdlov, M. Bescond; Institut für Mikroelektronik, 2016; Rigorosum: 03.03.2016.

148.		Ghosh, J. (2016). Modeling of spin-dependent transport in silicon Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2016.36140 (reposiTUm)

147.		Z. Stanojevic: "Physical Mobility Modeling for TCAD Device Simulation"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, F. Gamiz; Institut für Mikroelektronik, 2016; Rigorosum: 26.09.2016.

146.		Stanojevic, Z. (2016). Physical mobility modeling for TCAD device simulation Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2016.37966 (reposiTUm)

145.		Rudolf, F. (2016). Symmetry- and similarity-aware volumetric meshing Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2016.40647 (reposiTUm)

144.		Ellinghaus, P. (2016). Two-dimensional Wigner Monte Carlo simulation for time-resolved quantum transport with scattering Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2016.35764 (reposiTUm)

143.		Coppeta, R. A. (2015). Dislocation modeling in III-Nitrides Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2015.30571 (reposiTUm)

142.		Moradinasab, M. (2015). Optical properties of semiconductor nanostructures Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2015.29704 (reposiTUm)

141.		Yu. Illarionov: "Tunnel Carrier Transport and Related Physical Phenomena in Gold - Calcium Fluoride - Silicon (111) Structures"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): M. I. Vexler, A. Baraban, L. Goray; Ioffe Institute, 2015; Rigorosum: 22.01.2015.

140.		Pires Singulani, A. (2014). Advanced methods for mechanical analysis and simulation of through silicon vias Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2014.24806 (reposiTUm)

139.		Bina, M. (2014). Charge transport models for reliability engineering of semiconductor devices Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2014.24463 (reposiTUm)

138.		Mahmoudi, H. (2014). Devices and circuits for stateful logic and memristive sensing applications Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2014.24465 (reposiTUm)

137.		Weinbub, J. (2014). Frameworks for micro- and nanoelectronics device simulation Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2014.23675 (reposiTUm)

136.		Makarov, A. (2014). Modeling of emerging resistive switching based memory cells Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2014.23875 (reposiTUm)

135.		Osintsev, D. (2014). Modeling spintronic effects in silicon Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2014.24842 (reposiTUm)

134.		Schanovsky, F. (2013). Atomistic modeling in the context of the bias temperature instability Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2013.28781 (reposiTUm)

133.		I. Starkov: "Comprehensive Physical Modeling of Hot-Carrier Induced Degradation"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, M. Gröschl; Institut für Mikroelektronik, 2013; Rigorosum: 14.01.2013.

132.		Starkov, I. (2013). Comprehensive physical modeling of hot-carrier induced degradation Technische Universität Wien. https://resolver.obvsg.at/urn:nbn:at:at-ubtuw:1-57191 (reposiTUm)

131.		Pobegen, G. (2013). Degradation of electrical parameters of power semiconductor devices - process influences and modeling Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2013.11338322 (reposiTUm)

130.		Rui Huang: "Stress and Microstructural Evolution of Electroplated Copper Films"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, G. Dehm; Institut für Mikroelektronik, 2013; Rigorosum: 09.01.2013.

129.		Karamitaheri, H. (2013). Thermal and thermoelectric properties of nanostructures Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2013.29976 (reposiTUm)

128.		Triebl, O. (2012). Reliability issues in high-voltage semiconductor devices Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2012.27576 (reposiTUm)

127.		Huang, R. (2012). Stress and microstructural evolution of electroplated copper films Technische Universität Wien. https://resolver.obvsg.at/urn:nbn:at:at-ubtuw:1-55133 (reposiTUm)

126.		L. Filipovic: "Topography Simulation of Novel Processing Techniques"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Vasileska; Institut für Mikroelektronik, 2012; Rigorosum: 17.12.2012.

125.		Filipovic, L. (2012). Topography simulation of novel processing techniques Technische Universität Wien. https://resolver.obvsg.at/urn:nbn:at:at-ubtuw:1-48221 (reposiTUm)

124.		Hehenberger, P. P. (2011). Advanced characterization of the bias temperature instability Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2011.24894 (reposiTUm)

123.		Rupp, K. (2011). Deterministic numerical solution of the Boltzmann transport equation Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2011.24957 (reposiTUm)

122.		Gös, W. (2011). Hole trapping and the negative bias temperature instability Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2011.25057 (reposiTUm)

121.		Milovanović, G. (2011). Numerical modeling of quantum cascade lasers Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2011.22142 (reposiTUm)

120.		Schwaha, P. (2010). Beyond atavistic structures in scientific computing Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2010.21210 (reposiTUm)

119.		R. Orio: "Electromigration Modeling and Simulation"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, J. W. Swart; Institut für Mikroelektronik, 2010; Rigorosum: 04.06.2010.

118.		Lacerda de Orio, R. (2010). Electromigration modeling and simulation Technische Universität Wien. https://resolver.obvsg.at/urn:nbn:at:at-ubtuw:1-33806 (reposiTUm)

117.		T. Windbacher: "Engineering Gate Stacks for Field-Effect Transistors"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, J. Summhammer; Institut für Mikroelektronik, 2010; Rigorosum: 25.06.2010.

116.		Windbacher, T. (2010). Engineering gate stacks for field-effect transistors Technische Universität Wien. https://resolver.obvsg.at/urn:nbn:at:at-ubtuw:1-42636 (reposiTUm)

115.		Ertl, O. (2010). Numerical methods for topography simulation Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2010.001 (reposiTUm)

114.		Aichinger, T. (2010). On the role of hydrogen in silicon device degradation and metalization processing Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2010.20283 (reposiTUm)

113.		Vitanov, S. (2010). Simulation of high electron mobility transistors Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2010.21514 (reposiTUm)

112.		Poschalko, C. (2009). The simulation of emission from printed circuit boards under a metallic cover Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2009.17297 (reposiTUm)

111.		Karlowatz, G. (2009). Advanced Monte Carlo simulation for semiconductor devices Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2009.16312 (reposiTUm)

110.		Vasicek, M.-T. (2009). Advanced macroscopic transport models Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2009.17390 (reposiTUm)

109.		L. Li: "Charge Transport in Organic Semiconductor Materials and Devices"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, D. Süss; Institut für Mikroelektronik, 2008; Rigorosum: 08.02.2008. Zusätzliche Informationen

108.		Nentchev, A. (2008). Numerical analysis and simulation in microelectronics by Vector Finite Elements Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2008.10738 (reposiTUm)

107.		Spevak, M. (2008). On the specification and the assembly of discretized differential equations Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2008.10851 (reposiTUm)

106.		Ungersböck, S.-E. (2007). Advanced modeling of strained CMOS technology Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2007.8326 (reposiTUm)

105.		J. Schweda: "Analysis of Shift Mechanisms in BiCMOS Hall Devices with Scope of a Precise SPICE Simulation Model"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): K. Riedling, S. Selberherr; Institut für Sensor- und Aktuatorsysteme, 2007; Rigorosum: 16.04.2007.

104.		Schweda, J. (2007). Analysis of shift mechanisms in BiCMOS hall devices with scope of a precise SPICE simulation model Technische Universität Wien. (reposiTUm)

103.		Dhar, S. (2007). Analytical mobility models for strained silicon-based devices Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2007.9404 (reposiTUm)

102.		Heinzl, R. (2007). Concepts for scientific computing Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2007.9483 (reposiTUm)

101.		H. Kim: "Design, Simulation and Fabrication of Micro/Nano Functional Structures Using ION Beams"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): G. Hobler, H. Kosina; Institut für Festkörperelektronik, 2007; Rigorosum: 20.04.2007.

100.		Wittmann, R. (2007). Miniaturization problems in CMOS technology: Investigation of doping profiles and reliability Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2007.7645 (reposiTUm)

99.		Entner, R. (2007). Modeling and simulation of negative bias temperature instability Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2007.10123 (reposiTUm)

98.		Hollauer, C. (2007). Modeling of thermal oxidation and stress effects Technische Universität Wien. https://resolver.obvsg.at/urn:nbn:at:at-ubtuw:1-17195 (reposiTUm)

97.		Ch. Hollauer: "Modelling of Thermal Oxidation and Stress Effects"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, M. Vellekoop; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 18.04.2007.

96.		M. Pourfath: "Numeric Study of Quantum Transport in Carbon Nanotube-Based Transistors"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 03.07.2007.

95.		Pourfath, M. (2007). Numerical study of quantum transport in carbon nanotube-based transistors Technische Universität Wien. https://resolver.obvsg.at/urn:nbn:at:at-ubtuw:1-14427 (reposiTUm)

94.		Holzer, S. (2007). Optimization for enhanced thermal technology CAD purposes Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2007.8993 (reposiTUm)

93.		M. Wagner: "Simulation of Thermoelectric Devices"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 18.12.2007. Zusätzliche Informationen

92.		Minixhofer, R. (2006). Integrating technology simulation into the semiconductor manufacturing environment Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2006.5439 (reposiTUm)

91.		Wessner, W. (2006). Mesh refinement techniques for TCAD tools Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2006.7320 (reposiTUm)

90.		A. Sheikholeslami: "Topography Simulation of Deposition and Etching Processes"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, K. Riedling; Institut für Mikroelektronik, 2006; Rigorosum: 06.10.2006.

89.		Sheikholeslami, A. (2006). Topography simulation of deposition and etching processes Technische Universität Wien. https://resolver.obvsg.at/urn:nbn:at:at-ubtuw:1-16749 (reposiTUm)

88.		M. Blaho: "Experimental Characterisation of Smart Power Technology Devices Stressed by High Energy Pulses"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): E. Gornik, E. Langer; Institut für Festkörperelektronik, 2005; Rigorosum: 03.10.2005.

87.		Ceric, H. (2005). Numerical techniques in modern TCAD Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2005.3221 (reposiTUm)

86.		Wagner, S. (2005). Small-signal device and circuit simulation Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2005.3091 (reposiTUm)

85.		Park, J. M. (2004). Novel power devices for smart power applications Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2004.1715 (reposiTUm)

84.		Kosik, R. (2004). Numerical challenges on the road to NanoTCAD Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2004.1116 (reposiTUm)

83.		Ayalew, T. (2004). SiC semiconductor devices technology, modeling and simulation Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2004.04281063 (reposiTUm)

82.		Cervenka, J. (2004). Three-dimensional mesh Generation for device and process simulation Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2004.1458 (reposiTUm)

81.		S. Smirnov: "Physical Modeling of Electron Transport in Strained Silicon and Silicon-Germanium"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, K. Unterrainer; Institut für Mikroelektronik, 2003; Rigorosum: 17.12.2003.

80.		Smirnov, S. (2003). Physical modeling of electron transport in strained silicon and silicon-germanium Technische Universität Wien. https://resolver.obvsg.at/urn:nbn:at:at-ubtuw:1-11422 (reposiTUm)

79.		A. Gehring: "Simulation of Tunneling in Semiconductor Devices"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2003; Rigorosum: 05.12.2003.

78.		Gehring, A. (2003). Simulation of tunneling in semiconductor devices Technische Universität Wien. https://resolver.obvsg.at/urn:nbn:at:at-ubtuw:1-12051 (reposiTUm)

77.		Rodríguez Torres, R. (2003). Three-dimensional simulations of split-drain MAGFETs Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2003.03817587 (reposiTUm)

76.		Gritsch, M. (2002). Numerical modeling of silicon-on-insulator MOSFETs Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2002.03697025 (reposiTUm)

75.		Harlander, C. (2002). Numerische Berechnung von Induktivitäten in dreidimensionalen Verdrahtungsstrukturen Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2002.03696933 (reposiTUm)

74.		T. Binder: "Rigorous Integration of Semiconductor Process and Device Simulators"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 2002; Rigorosum: 30.12.2002.

73.		Binder, T. (2002). Rigorous integration of semiconductor process and device simulators Technische Universität Wien. (reposiTUm)

72.		Heitzinger, C. (2002). Simulation and inverse modeling of semiconductor manufacturing processes Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2002.03696962 (reposiTUm)

71.		R. Klima: "Three-Dimensional Device Simulation with Minimos-NT"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 2002; Rigorosum: 19.12.2002.

70.		Klima, R. (2002). Three-dimensional device simulation with minimos-NT Technische Universität Wien. (reposiTUm)

69.		Quay, R. (2001). Analysis and simulation of high electron mobility transistors Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2001.03341873 (reposiTUm)

68.		Sabelka, R. (2001). Dreidimensionale Finite Elemente Simulation von Verdrahtungsstrukturen auf integrierten Schaltungen Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2001.03227950 (reposiTUm)

67.		C. Troger: "Modellierung von Quantisierungseffekten in Feldeffekttransistoren"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 2001; Rigorosum: 18.06.2001.

66.		J. Lorenz: "Diskretisierung und Gittergeneration für die mehrdimensionale Simulation von Implantation und Diffusion"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Ryssel, S. Selberherr; Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg und Institut für Mikroelektronik, 2000; Rigorosum: 28.04.2000.

65.		W. Pyka: "Feature Scale Modeling for Etching and Deposition Processes in Semiconductor Manufacturing"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 2000; Rigorosum: 11.05.2000.

64.		Pyka, W. (2000). Feature scale modeling for etching and deposition processes in semiconductor manufacturing Technische Universität Wien. (reposiTUm)

63.		Dragosits, K. (2000). Modeling and simulation of ferroelectric devices Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2000.03228781 (reposiTUm)

62.		R. Mlekus: "Object-Oriented Algorithm and Model Management in TCAD Applications"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 2000; Rigorosum: 13.01.2000.

61.		M. Stockinger: "Optimization of Ultra-Low-Power CMOS Transistors"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2000; Rigorosum: 25.01.2000.

60.		Stockinger, M. (2000). Optimization of ultra-low-power CMOS transistors Technische Universität Wien. (reposiTUm)

59.		A. Hössinger: "Simulation of Ion Implantation for ULSI Technology"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 2000; Rigorosum: 11.09.2000.

58.		Palankovski, V. (2000). Simulation of heterojunction bipolar transistors Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2000.03142613 (reposiTUm)

57.		Hössinger, A. (2000). Simulation of ion implantation for ULSI technology Technische Universität Wien. (reposiTUm)

56.		Fleischmann, P. (1999). Mesh generation for technology CAD in three dimensions Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.1999.03012084 (reposiTUm)

55.		Grasser, T. (1999). Mixed-mode device simulation Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.1999.02581881 (reposiTUm)

54.		R.M. Escadas Ramos Martins: "On the Design of Very Low Power Integrated Circuits"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 1999; Rigorosum: 25.02.1999.

53.		R. Plasun: "Optimization of VLSI Semiconductor Devices"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 1999; Rigorosum: 21.10.1999.

52.		R. Strasser: "Rigorous TCAD Investigations on Semiconductor Fabrication Technology"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1999; Rigorosum: 23.06.1999.

51.		M. Rottinger: "Selected Simulations of Semiconductor Structures"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1999; Rigorosum: 25.06.1999.

50.		M. Knaipp: "Modellierung von Temperatureinflüssen in Halbleiterbauelementen"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1998; Rigorosum: 21.10.1998.

49.		H. Brech: "Optimization of GaAs Based High Electron Mobility Transistors by Numerical Simulation"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1998; Rigorosum: 03.04.1998.

48.		H. Kirchauer: "Photolithography Simulation"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1998; Rigorosum: 21.04.1998.

47.		M. Radi: "Three-Dimensional Simulation of Thermal Oxidation"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 1998; Rigorosum: 02.12.1998.

46.		G. Schrom: "Ultra-Low-Power CMOS Technology"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1998; Rigorosum: 07.07.1998.

45.		Wasshuber, C. (1997). About single-electron devices and circuits Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.1997.01758304 (reposiTUm)

44.		E. Leitner: "Diffusionsprozesse in dreidimensionalen Strukturen"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1997; Rigorosum: 05.02.1998.

43.		Pichler, C. (1997). Integrated semiconductor technology analysis Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.1997.02035427 (reposiTUm)

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41.		G. Kaiblinger-Grujin: "Physikalische Modellierung und Monte-Carlo-Simulation der Elektronenbeweglichkeit in Silizium"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1997; Rigorosum: 13.03.1998.

40.		H. Puchner: "Advanced Process Modeling for VLSI Technology"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1996; Rigorosum: 31.05.1996.

39.		G. Rieger: "Ein graphischer Editor für Entwurf von Halbleiterbauteilen"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Purgathofer; Institut für Mikroelektronik, 1996; Rigorosum: 23.05.1996.

38.		W. Bohmayr: "Simulation der Ionenimplantation in kristalline Siliziumstrukturen"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1996; Rigorosum: 28.10.1996.

37.		T. Simlinger: "Simulation von Heterostruktur-Feldeffekttransistoren"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1996; Rigorosum: 30.05.1996.

36.		W. Tuppa: "VMAKE - A CASE-Oriented Configuration Management Utility"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 1996; Rigorosum: 28.11.1996.

35.		R. Deutschmann: "Entwicklung eines physikalischen HFET-Modells: Parameterextraktion und Verifikation"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1995; Rigorosum: 10.10.1995.

34.		Hackel, M. (1995). Transport und Injektion von Ladungsträgern in MOS-Strukturen mit der Monte-Carlo-Methode Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.1995.01384981 (reposiTUm)

33.		N. Khalil: "ULSI Characterization with Technology Computer-Aided Design"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1995; Rigorosum: 31.05.1995.

32.		C. Fischer: "Bauelementsimulation in einer computergestützten Entwurfsumgebung"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 26.05.1994.

31.		R. Bauer: "Numerische Berechnung von Kapazitäten in dreidimensionalen Verdrahtungsstrukturen"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Haas; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 16.11.1994.

30.		M. Stiftinger: "Simulation und Modellierung von Hochvolt-DMOS-Transistoren"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 06.10.1994.

29.		E. Strasser: "Simulation von Topographieprozessen in der Halbleiterfertigung"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 17.11.1994.

28.		S. Halama: "The Viennese Integrated System for Technology CAD Applications"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 27.05.1994.

27.		F. Fasching: "The Viennese Integrated System for Technology CAD Applications - Data Level Design and Implementation"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 17.11.1994.

26.		H. Brand: "Thermoelektrizität und Hydrodynamik"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 26.05.1994.

25.		P. Habas: "Analysis of Physical Effects in Small Silicon MOS Devices"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1993; Rigorosum: 17.11.1993.

24.		H. Pimingstorfer: "Integration und Anwendung von Simulatoren in der CMOS-Entwicklung"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1993; Rigorosum: 30.11.1993.

23.		H. Stippel: "Simulation der Ionen-Implantation"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1993; Rigorosum: 17.11.1993.

22.		K. Wimmer: "Two-Dimensional Nonplanar Process Simulation"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1993; Rigorosum: 18.06.1993.

21.		Kosina, H. (1992). Simulation des Ladungstransportes in elektronischen Bauelementen mit Hilfe der Monte-Carlo-Methode Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.1992.00474269 (reposiTUm)

20.		O. Heinreichsberger: "Transiente Simulation von Silizium MOSFETs"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, R. Weiss; Institut für Mikroelektronik, 1992; Rigorosum: 02.06.1992.

19.		P. Lindorfer: "Numerische Simulation von Galliumarsenid MESFETs"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1991; Rigorosum: 15.03.1991.

18.		P. Dickinger: "Hochvolt DMOS Transistoren: Analyse und Optimierung"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1990; Rigorosum: 15.06.1990.

17.		K. Wagner: "Simulation von Volumenwelleneffekten in SAW-Bauelementen"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): F. Seifert, S. Selberherr; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1990; Rigorosum: 20.03.1990.

16.		J. Demel: "JANAP - Ein Programm zur Simulation von elektrischen Netzwerken"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Mikroelektronik, 1989; Rigorosum: 16.11.1989.

15.		G. Nanz: "Numerische Methoden in der zweidimensionalen Halbleiterbauelementsimulation"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, R. Weiss; Institut für Mikroelektronik, 1989; Rigorosum: 23.11.1989.

14.		W. Kausel: "Zweidimensionale transiente Simulation von Halbleiterbauelementen"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Mikroelektronik, 1989; Rigorosum: 02.03.1989.

13.		M. Thurner: "Dreidimensionale Modellierung von MOS-Transistoren"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Mikroelektronik, 1988; Rigorosum: 25.10.1988.

12.		G. Hobler: "Simulation der Ionenimplantation in ein-, zwei- und dreidimensionalen Strukturen"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1988; Rigorosum: 23.11.1988.

11.		A. Seidl: "Zweidimensionale Simulation der lokalen Oxidation von Silizium"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Ryssel, S. Selberherr; Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg und Institut für Mikroelektronik, 1988; Rigorosum: 23.02.1989.

10.		A.R. Baghai-Wadji: "Berechnung der Quellenverteilung zur Anregung von akustischen Wellen in Oberflächenwellenfiltern"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): F. Seifert, S. Selberherr; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1987; Rigorosum: 29.10.1987.

9.		W. Ochsenreiter: "Fehlertolerante Uhrensynchronisation in verteilten Realzeitsystemen"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kopetz, S. Selberherr; TU Wien, 1987; Rigorosum: 27.05.1987.

8.		O. Männer: "Knotenvariablen-Analyse von Oberflächenwellenfiltern"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): F. Seifert, S. Selberherr; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1987; Rigorosum: 29.09.1987.

7.		E. Langer: "Anregung und Ausbreitung elektroakustischer Wellen in piezoelektrischen Kristallen"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1986; Rigorosum: 28.02.1986.

6.		W. Jüngling: "Entwicklung und Auswertung verbesserter Modelle für die Prozeß- und Bauelementesimulation"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1986; Rigorosum: 05.06.1986.

5.		F. Straker: "Numerische Berechnung von Kapazitäten in hochintegrierten Schaltungen"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1985; Rigorosum: 30.10.1985.

4.		P. Pichler: "Numerische Simulation kritischer Prozeßschritte in der Halbleitertechnik"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1985; Rigorosum: 30.10.1985.

3.		A. Franz: "Numerische Simulation von Leistungsfeldeffekthalbleiterbauelementen"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1984; Rigorosum: 21.11.1984.

2.		G. Franz: "Numerische Simulation von bipolaren Leistungshalbleiterbauelementen"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1984; Rigorosum: 21.11.1984.

1.		S. Selberherr: "Zweidimensionale Modellierung von MOS-Transistoren"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Pötzl, F. Paschke; Institut für Physikalische Elektronik, 1981; Rigorosum: 05.03.1981.