Der DH-HFET LN-19 unterscheidet sich in seinen Abmessungen nur wenig vom LN-16. Lediglich die Gatelänge ist hier bereits auf weniger als 200 nm reduziert. Alle anderen lateralen Abmessungen sind dagegen nahezu identisch. Die Abfolge der Schichten ist dagegen sehr unterschiedlich. Anstatt einer homogen dotierten Supplyschicht besitzt der LN-19 eine d-Dotierung. Um die Erzeugung von tiefen Störstellen trotz hoher Dotierstoffdichte so weit wie möglich auszuschließen, wurde als Grundmaterial für die d-dotierte Schicht GaAs gewählt. Ein positiver Nebeneffekt ist, daß bei der Schichtfolge AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs die "Verschleppung" von Dotierstoffatomen beim Schichtwachstum (Segregation) in benachbarte Schichten verringert ist.
Die d-Dotierung ist zwischen zwei undotierte AlxGa1-xAs-Schichten eingebettet. Dies ermöglicht es, den Abstand zwischen Gate und Kanal zu verringern, wodurch das Ladungskontrollverhalten und die Charakteristik der Steilheit positiv beeinflußt werden soll. Die folgende Abbildung 6.2 zeigt einen vereinfachten Schnitt durch den LN-19. Die nominalen lateralen Abmessungen und Schichtdicken werden in den Tabellen 6-3 und 6-4 zusammengefaßt.
Abbildung 6.2: Schematischer Querschnitt des DH-HFET LN-19.
Tabelle 6-3: Laterale Abmessungen, Recesstiefe und Gate-Kanal Abstand des LN-19.
Tabelle 6-4: Materialparameter und Schichtdicken des LN-19.
Der LN-19 besitzt neben der d-Dotierung auch eine Rückseitendotierung. Diese beiden Supplyschichten sollen zu einer erhöhten Ladungsträgerdichte im Q2DEG und damit zu einer erhöhten Stromdichte führen. Die Rückseitendotierung ist damit ein Schritt in Richtung Leistungsbauelement.
Der Einschluß der Ladungsträger wird entscheidend verbessert, indem zwischen Kanal und GaAs-Buffer als Barrierenmaterial AlxGa1-xAs verwendet wird. Die größere Bandlücke des AlxGa1-xAs soll zusätzlich den Bufferstrom vermindern. Damit kann das Bauelement auch bei hohen Drainspannungen noch vollständig gesperrt werden. Die dünne GaAs-Schicht (Spacer3) zwischen Kanal und AlxGa1-xAs-Spacer dient nur zur Verbesserung der Grenzflächeneigenschaften.