Der wesentliche Unterschied zwischen den LN-HFETs und dem Leistungstransistor (power DH-HFET) P-01 liegt in seinen Abmessungen. Mit einem Source-Drain Abstand von LSD = 3.7 mm ist er mehr als dreimal so lang, wie die LN-HFETs. Ein weiteres Merkmal dieses Bauelements ist sein asymmetrischer Aufbau. Der Abstand zwischen Gate und Drain wurde wesentlich vergrößert. Abbildung 6.3 zeigt einen vereinfachten Schnitt durch den power DH-HFET P-01. Die nominalen lateralen Abmessungen und Schichtdicken werden in den Tabellen 6-5 und 6-6 zusammengefaßt.
Abbildung 6.3: Schematischer Querschnitt des power DH-HFET P-01.
Tabelle 6-5: Laterale Abmessungen, Recesstiefen und Gate-Kanal Abstand des P-01.
Tabelle 6-6: Materialparameter und Schichtdicken des P-01.
Unterhalb des Kanals ist der power DH-HFET P-01 mit dem LN-19 identisch. Auch er besitzt eine Rückseitendotierung und einen AlxGa1-xAs-Buffer. Oberhalb des Kanals dagegen ähnelt der P-01 dem LN-16. Neben der Vergrößerung des Gate-Drain Abstands wurde jedoch noch ein zweiter Recessgraben eingeführt ( Doppelrecess).