Die folgende Strukturdefinition beschränkt sich auf drei Grundtypen von DH-HFETs. Im Rahmen dieser Arbeit wurden allerdings auch Bauelemente untersucht, deren Struktur geringfügig von diesen Grundtypen abweicht. Diese Abweichungen werden bei Bedarf im Einzelfall spezifiziert, haben aber auf die prinzipielle Zuordnung der Meß- oder Simulationsergebnisse zu den drei Bauelementgrundtypen nur geringen Einfluß.
Die ersten beiden Bauelemente wurden für Anwendungen konzipiert, bei denen es besonders auf geringes Rauschen (low noise) ankommt. Obwohl diese Bauelemente in ihren Abmessungen sehr ähnlich sind, stellt das zweite Bauelement eine Weiterentwicklung des ersten dar und unterscheidet sich von diesem in zwei wesentlichen Merkmalen. Erstens besitzt es statt einer homogen dotierten Supplyschicht nur eine sehr schmale, sehr hoch dotierte Zone (d-Dotierung). Zweitens wurde zwischen Kanal und Buffer eine weitere dotierte Schicht eingeführt, die sogenannte Rückseitendotierung (backside doping).
Auch das dritte Bauelement, konzipiert für Leistungsanwendungen besitzt eine solche Rückseitendotierung, jedoch wiederum eine homogen dotierte Supplyschicht. Insgesamt unterscheidet sich dieses dritte Bauelement von den ersten beiden hauptsächlich durch seine großen Abmessungen und seinen asymmetrischen Aufbau.