D I S S E R T A T I O N
Characterization and Modeling of
Charged Defects in Silicon and 2D Field-Effect
Transistors
ausgeführt zum Zwecke der Erlangung des akademischen Grades
eines Doktors der technischen Wissenschaften
eingereicht an der Technischen Universität Wien
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
von
Yury Illarionov
Grunbergstraβe 19-21/2/10
A-1120 Wien, Österreich
geboren am 5. Juni 1988 in Leningrad, USSR
Wien, im December 2015