Ab einer gewissen Konzentration sind zwar die einzelnen Teilchen noch so weit voneinander
entfernt, daß sie sich nicht direkt beeinflussen können, jedoch beeinflußt die Ladung der
ionisierten Dopanden die Potentialverteilung im Halbleiter. Dadurch verändert sich die
Energiebarriere, die bei einem Platzwechselvorgang zu überwinden ist. Während die absolute
Höhe dieser Barriere sich erst bei sehr hohen Konzentrationen ändert, tritt durch die
Verzerrung der Bandkanten ein Gefälle der Barrierenmaxima auf. Dieses Gefälle entspricht dem
elektrischen Potential im Halbleiter, welches durch den Aufbau von Raumladungszonen in Gebieten
mit variabler Dopandenkonzentration entsteht und wirkt sich auf die Anzahl der freien
Ladungsträger n aus:
Durch dieses Gefälle in den Energiebarrieren wird eine Sprungrichtung energetisch bevorzugt,
was einer resultierenden Kraft auf das Teilchen entspricht. Berücksichtigt man diese Kräfte,
erhält man eine erweiterte Form des ersten Fick'schen Gesetzes [Hu68]:
Im Falle elektrisch geladener Teilchen berechnet sich diese Kraft aus der vorzeichenbehafteten
Anzahl z der Ladungen des Teilchens, der Elementarladung qe und dem elektrischen
Potential zu
(2.4) |
(2.5) |