6.2 Der Monte Carlo Simulator

 

Der Monte Carlo Simulator MCIMPL wurde am Institut für Mikroelektronik der Technischen Universität Wien entwickelt. Grundlegende Arbeiten zur Modellierung der Ionenimplantation wurden von Dr. Gerhard Hobler [Hob88a, Hob89, Hob91c] durchgeführt, wohingegen bei Dr. Hannes Stippel die automatische Adaption von Histogrammboxen [Sti92] und die effiziente Lösung des Point-Location Problemes in Vordergrund stand [Sti93a, Sti94]. Das Programm ist ein Bestandteil des TCAD\ Softwarepaketes VISTA [Sel91, Hal93, Hal95]. Als Datenaustauschformat wird PIF verwendet [Fas91].

Unter anderen sind folgende Eigenschaften des Simulators erwähnenswert:

• Ein-, zwei- und dreidimensionale Bauelementestrukturen beliebiger Komplexität und Zusammensetzung sind verarbeitbar.
• Der Benutzer kann zwischen Modellen für amorphes und kristallines Silizium wählen.
• Die Orientierung des Ionenstrahls in Bezug auf die Simulationsstruktur unterliegt keinerlei Einschränkungen.
• Die transiente Schädigung des Kristallgitters durch die Ionen kann auf Wunsch berücksichtigt werden.
• Die räumliche Ausdehnung von möglichen amorphen Schichten wird bis zu einer Substrattemperatur von 400 simuliert.
• Die Momente für analytische Verteilungsfunktionen werden auf Wunsch berechnet und können anschließend in Simulatoren verwendet werden.
• Sämtliche Parameter sind für den Benutzer zugänglich. Somit können neue experimentelle Erkenntnisse in die Modelle des Simulators einfließen.