Einen Schwerpunkt stellt der Vergleich von SIMS Messungen mit Simulationsergebnissen dar. Obwohl bis heute nur eindimensionale SIMS\ Analysemethoden im Einsatz sind, ist deren praktische Bedeutung für die Kalibrierung der implementierten physikalischen Modelle enorm. Dementsprechend wird gezeigt, daß die Monte Carlo Simulation für einen großen Energiebereich und unterschiedliche Ionenarten ausgezeichnete Ergebnisse liefert. Diese Übereinstimmung ist in erster Linie auf die gut kalibrierte elektronische Abbremsung zurückzuführen. In diesem Zusammenhang sind vor allem die Simulationen bei sehr niedrigen Implantationsenergien von Interesse. Die zweidimensionalen Konzentrationsverteilungen der Dotierstoffe und der Zwischengitteratome werden zur besseren Illustration der Ergebnisse gezeigt.
In letzter Zeit versucht man mit Hilfe von Implantationen unter großen Kippwinkeln (LAT), Prozeßflüsse zu vereinfachen, und technologische Probleme wie Punch-Through`` und ,,Short-Channel Effekte zu lösen bzw. zu minimieren. Mit dieser Methode lassen sich unter anderem seichte Dotierstoffprofile (Shallow doping profiles) erzeugen und Gebiete unterhalb einer Maske gezielt dotieren (LATID und LATIPS).
In Kapitel 6.5 wird ein NMOS Transistor mit einer LDD\ Struktur simuliert. Der Schwerpunkt liegt auf der Berechnung der resultierenden amorphen Zone mit Hilfe des vorgestellten Amorphisierungsmodells.
Die dreidimensionalen Anwendungsbeispiele verdeutlichen hingegen, daß man heute bereits mit state-of-the-art Arbeitsplatzrechnern in der Lage ist, komplexe und realistische Halbleiterstrukturen innerhalb einiger Stunden zu berechnen. Dieser Fortschritt wurde nicht zuletzt durch die Trajectory-Split Methode ermöglicht.
-Implantation mit 40keV
Kippwinkel
-Implantation mit 45keV