Abbildung 6.20: Vergleich des Simulationsergebnisses mit der SIMS\
Messung. Die durchgezogene Linie repräsentiert das Histogramm der
Monte Carlo Simulation, die punktierten Linien und die Symbole kennzeichnen
die experimentellen Daten. Mit 
wird der Einfallswinkel des
primären Sputtering-Ionenstrahles bezeichnet. Die SIMS\
Messungen (Symbole) wurden mit 2keV-
-Ionen
durchgeführt.
Abbildung 6.21: Simulation einer Punktantwort mit 10keV-Bor-Ionen
und die daraus resultierende Bor-Konzentration in [cm-3].
Abbildung 6.22: Simulation einer Punktantwort mit 10keV-Bor-Ionen und die daraus
resultierende Silizium-Interstitial-Konzentration in [cm-3].
Vergleicht man die resultierende Dotierstoffkonzentration bei 5keV (Abbildung 6.18) mit der bei 10keV (Abbildung 6.21), so lassen sich diese Verteilungen qualitativ kaum voneinander unterscheiden. Das gleiche gilt für die dazugehörigen Konzentrationen der Zwischengitteratome (Abbildungen 6.19 und 6.22) und natürlich auch für die eindimensionalen Profile (Abbildungen 6.17 und 6.20).
In den physikalischen Grundlagen wurde bereits erläutert, daß der
kritische Winkel 
für Channeling stark von der Energie
des betrachteten Ions abhängt. Abbildung 2.26
(Seite 
) gibt dieses Verhalten qualitativ wieder. Man
erkennt, daß mit abnehmender Ionenenergie zunimmt und
schließlich seinen Maximalwert 
bei 
erreicht. Bei noch kleineren Energien nimmt wieder ab und
verschwindet bei 
, d.h., ist jene Energie, bei der das Ion
gerade nicht mehr im Kanal geführt wird. In Tabelle 6.2
sind für Bor und axiales Channeling im [100] Kanal die Werte für
, und zusammengestellt
[Hob96].
Tabelle: , und aus
Abbildung 2.26 für Bor und axiales Channeling im [100]
Kanal [Hob96].
Aus dieser Tabelle ist ersichtlich, daß typische Werte für und
für leichte Ionen und axiales Channeling in der
Großenordnung von einem keV liegen. Zur Berechnung der Tabellenwerte
benötigt man jedoch ein Modell zur Bestimmung des kritischen Abstandes
in einem starren Kristallgitter (vgl.\
Seite ). Dieses wurden in [Hob96] unter anderem auf
Grund eines Vergleiches mit Monte Carlo Simulationen ausgewählt. Es stellt sich
jedoch die Frage, ob in diesem Energiebereich das verwendete
Zweikörpermodell für den nuklearen Stoß noch Gültigkeit besitzt.
und das Verhältnis von elektronischer zu nuklearer Abbremsung
sind aber bei 5 und 10keV in etwa gleich groß, und daher kanalisieren in
beiden Fällen ein vergleichbarer Prozentsatz an Ionen.