Implantationen unter großen Kippwinkeln (LAT Implantationen)

Implantationen unter großen Kippwinkeln (LAT) und bei mehrfacher Drehung des Wafers ermöglichen eine einfache und sehr flexible Optimierung der Dotierstoffprofile. Diese Technik spielt vor allem bei Prozeßflüssen für Deep submicron Transistoren eine Rolle. Zwei Vertreter werden hier kurz vorgestellt.

  
Abbildung 6.23: a) Schematischer LATID [Hor88a] und b) LATIPS\ [Hor88b] Prozeßfluß. bezeichnet den Kippwinkel bei den LAT Implantationen.

 
• 6.4.1 LATID (,,Large-Angle-Tilt Implanted Drain``)
• 6.4.2 LATIPS (,,Large-Angle-Tilt Implanted Punch-Through Stopper``)
• 6.4.3 Arsen-Implantation mit 30keV und unter 30 Kippwinkel
• 6.4.4 LATID Phosphor-Implantation mit 15keV und unter
  55 Kippwinkel