LATID (,,Large-Angle-Tilt Implanted Drain``)

Nach der Strukurierung des Gates wird z.B. Phosphor mit in geringer Dosis () implantiert. Um eine symmetrische Dotierung unterhalb des Gates`` zu erreichen, wird der Wafer je nach Layout entweder zweimal um 180 oder viermal um 90 gedreht, ohne daß man ihn dabei von der Implanterhalterung entfernt.

Nach dem ein ca. breiter Gate sidewall spacer erzeugt wurde, folgt eine konventionelle Arsen-Implantation mit hoher Dosis (), die die Source/Drain Bereiche und deren Eindringtiefen (Junction depth) festlegt.

Diese Vorgehensweise ermöglicht ein getrenntes Einstellen der beiden Überlappungslängen ,,Gate``/ o (siehe Abbildung 6.23) und ,,Gate``/ und der horizontalen und vertikalen Konzentrationsprofile in den Bereichen. Möchte man z.B. o vergrößern, so muß nur der Wafer bei der -Implantation etwas mehr gekippt werden.

Folgende Verbesserungen können durch diese Technik im Vergleich zu einem herkömmlichen LDD Transisitor erzielt werden [Mac92, Wol95]:

1.

Die laterale Komponente des elektrischen Feldes im Drain Bereich wird deutlich reduziert.

2.

Die räumliche Distanz zwischen dem Punkt der maximalen Feldstärke und jener Stelle im Kanal, wo die maximale Stromdichte auftritt, ist vergrößert.

3.

Der Punkt der maximalen Feldstärke im Drain Bereich wandert weiter unter das Gate und tiefer in das Substrat hinein.

Die beiden ersten Punkte reduzieren deutlich die Wahrscheinlichkeit für Stoßionisation (Impact ionization) und damit verringert sich auch der Substratstrom. Die dritte Verbesserung vermindert die sukzessive Schwächung des Spacers, wie sie bei LDD Transistoren durch Injektion der heißen Ladungsträger vorkommt (,,Sidewall spacer degradation``).

Insgesamt wird also die Lebensdauer des Bauelementes beträchtlich erhöht, ohne das zusätzliche Belichtungsmasken oder Diffusionsschritte benötigt werden.