6.6 Dreidimensionale Simulation eines PMOS Transistors

 

Dieser Abschnitt dient in erster Linie dazu, die Einsetzbarkeit der Monte Carlo\ Simulation auch bei komplexen dreidimensionalen Geometrien zu demonstrieren. Obwohl die Maskenöffnung für die Implantationen ( Implantationsfenster für die Simulation) eine Fläche von aufweist, benötigt ein state-of-the-art Arbeitsplatzrechner nur rund 15 Stunden für eine vollständige, dreidimensionale Simulation inklusive Berücksichtigung von Punktdefekten.

Es liegt aber auf der Hand, daß die Berechnung kompletter Prozeßflüsse für dreidimensionale Strukturen nicht das primäre Einsatzgebiet für einen Monte Carlo Simulator darstellt. Bei der heute zur Verfügung stehenden Rechenleistung erscheint es sinnvoll, nur kritische Teile eines Layouts zu simulieren, und die dabei gewonnenen Erkenntnisse für analytische Simulationsmethoden zu nutzen [Bur95, Lor96].

Die Strukturen des simulierten PMOS Transistors (siehe Abbildung 6.34 und 6.38) stammen ebenfalls aus einem Benchmark Prozeßfluß für das PROMPT Projekt. Es handelt sich dabei um einen Standard CMOS Prozeß für eine Versorgungsspannung von .

 
• 6.6.1 p-LDD-Implantation mit 25keV
• 6.6.2 p-Implantation mit 45keV