Abbildung 6.34: Dreidimensionale Struktur eines 
PMOS\
Transistors aus einem 3.3V CMOS Prozessfluss.
Abbildung 6.35: Bor-Konzentration in 
nach einer p-LDD-Implantation des
PMOS Transistor mit 25keV-Bor-Ionen und einer Dosis von 
. Der Wafer wurde dabei um 7 Grad
gegenueber der [100]-Richtung gekippt und viermal um 90 Grad
gedreht.
Abbildung 6.36: Silizium-Interstitial-Konzentration in [cm-3]
nach einer p-LDD-Implantation des PMOS\
Transistors mit 25keV-Bor-Ionen und einer Dosis von . Der Wafer wurde dabei um 7
\
gegenueber der [100]-Richtung gekippt und viermal um 90\
gedreht.
Abbildung 6.37: Bor-Konzentration in [cm-3] in der Schnittebene 1
nach einer p-LDD-Implantation des PMOS\
Transistors mit 25keV-Bor-Ionen und einer Dosis von 
. Der Wafer wurde dabei um 7\
gegenüber der [100]-Richtung gekippt und viermal um 90\
gedreht.
Eine LDD-Implantation plaziert die Dotierstoffe nahe der Oberfläche
zwischen dem Source/Drain Bereich (typische Konzentrationswerte
liegen zwischen 
und 
) und dem Kanalgebiet
(
). Dadurch wird jener Bereich ausgedehnt,
in dem der Abfall der Source/Drain Spannung stattfindet. Dies
reduziert die maximale Feldstärke. Man erreicht damit eine Steigerung der
Zuverlässigkeit des Bauteils, vgl. [Zie92, Wol95].
In das Simulationsgebiet aus Abbildung 6.34 wurden
25keV-Bor-Ionen unter einem Kippwinkel von 7 implantiert. Die Halterung
des Wafers wurde dabei viermal um 90 gedreht.
Die Abbildungen 6.35 und 6.36 zeigen die resultierende dreidimensionale Bor- bzw.\ Silizium-Interstitial-Konzentration. Schneidet man die Geometrie mit einer vertikalen Ebene (siehe Abbildung 6.34) und berechnet darin die Verteilung (siehe Abbildung 6.37), so erkennt man deutlich, daß die Dotierstoffkonzentrationen lateral bis in das Kanalgebiet reichen.