-Implantation mit 45keV
Abbildung 6.38: Dreidimensionale Struktur eines 
PMOS\
Transistors aus einem 
CMOS Prozessfluss.
Abbildung 6.39: Bor-Konzentration in 
nach einer 
-Implantation des
PMOS Transistors mit 45keV-Bor-Ionen und einer Dosis von 
. Der Wafer wurde dabei um 7
\
gegenüber der [100]-Richtung gekippt und viermal um 90\
gedreht.
Abbildung 6.40: Silizium-Interstitial-Konzentration in nach einer -Implantation des
PMOS Transistor mit 45keV-Bor-Ionen und einer Dosis von . Der Wafer wurde dabei um 7\
gegenueber der [100]-Richtung gekippt und viermal um 90\
gedreht.
Abbildung 6.41: Bor-Konzentration in [cm-3] in der Schnittebene 1
nach einer -Implantation des PMOS\
Transistor mit 45keV-Bor-Ionen und einer Dosis von . Der Wafer wurde dabei um 7\
gegenueber der [100]-Richtung gekippt und viermal um 90\
gedreht.
In das Simulationsgebiet aus Abbildung 6.38 wurden zur
Erzeugung der Source/Drain Bereiche 45keV-Bor-Ionen unter einem
Kippwinkel von 7 implantiert. Die Halterung des Wafers wurde
dabei viermal um 90 gedreht.
Die Abbildungen 6.39 und 6.40 zeigen die resultierende dreidimensionale Bor- bzw.\ Silizium-Interstitial-Konzentration. Schneidet man die Geometrie mit einer vertikalen Ebene (siehe Abbildung 6.38) und berechnet darin die Verteilung (siehe Abbildung 6.41), erkennt man deutlich die hochdotierten Source/Drain`` Bereiche. Die beiden Spacer schirmen jedoch den unmittelbaren Bereich zwischen Kanalgebiet und Source/Drain ab. Dadurch reicht das Dotierstoffprofil nicht bis unter das Gate.