Abbildung 6.5: Vergleich des Simulationsergebnisses mit der SIMS\
Messung. Die durchgezogene Linie repräsentiert das Histogramm der
Monte Carlo Simulation, die punktierte Linie und die Symbole kennzeichnen
die experimentellen Daten.
Abbildung 6.6: Simulation einer Punktantwort mit 280keV-Bor-Ionen und die daraus
resultierende Bor-Konzentration in [cm-3].
Abbildung 6.7: Simulation einer Punktantwort mit 280keV-Bor-Ionen und die daraus
resultierende Silizium-Interstitial-Konzentration in cm[-3].
In Tabelle 2.4 (Seite 
) ist ersichtlich,
daß der kritische Winkel 
für Channeling bei
Bor-Implantationen in (100) Silizium bei 280keV nur mehr halb so groß ist,
als bei 40keV. Die Tatsache spiegelt sich in den
Abbildungen 6.2 und 6.5 wieder, denn das
Channeling-Tail ist im ersteren Fall ausgeprägter. Das Verhältnis
der maximalen 
zur mittleren Eindringtiefe 
beträgt ca.\
drei, bei der höheren Energie jedoch nur mehr zwei.
Bor weist eine geringe atomare Masse auf und wird daher bei nuklearen Stößen mit den Siliziumatomen stark gestreut. Dadurch tritt dieses Ion zwar in sehr viele Kanäle ein, die Wahrscheinlichkeit sie nach kurzer Zeit wieder zu verlassen, ist jedoch groß. Dies bedingt die Enstehung eines flachen Verlaufes des Tails, der sich auch in den Abbildungen 6.3 und 6.6 durch die große laterale Breite der Dotierstoffverteilung wiederspiegelt.
Die exzellente Übereinstimmung der Simulationsergebnisse mit den SIMS\
Messungen (siehe Abbildung 6.2 und 6.5) ist bei Bor vor
allem auf die gute Kalibrierung des Electronic stopping power Modells
zurückzuführen. Mit Hilfe der schematischen Zeichnung 2.18
und der Tabelle 2.3 (Seite ) wird
nämlich klar, daß bei mittleren und hohen Energien die elektronische
Abbremsung dominiert. Erst im letzten Teil der Trajektorie werden vermehrt
Punktdefekte generiert (siehe Abbildung 6.7).