Wie schon erwähnt, kann für unsere Zwecke 
als unabhängig von T
angesehen werden. Somit ist es möglich, unter Berücksichtigung von
Gleichung 5.1 die kritische Implantationsdosis für eine
beliebige Temperatur zu berechnen (siehe Abbildung 5.7).
Abbildung 5.7: Vergleich zwischen experimenteller
(Symbole) und simulierte kritischer Implantationsdosis in
.
Bedenkt man die äußerst komplexen Zusammenhänge, die das Entstehen von amorphen Schichten bestimmen, so ist es sehr erfreulich, daß ein relativ einfaches Modell mit nur vier Parametern diesen Sachverhalt mit hoher Genauigkeit wiedergeben kann.
Monte Carlo Simulationen sind also nicht nur zur Berechnung von Dotierstoffprofilen geeignet, sondern können auch weitaus komplexere Vorgänge ohne zusätzlichen Zeitaufwand beschreiben. Das hier vorgestellte Amorphisierungsmodell ist ein erster Schritt in Richtung einer engeren Verbindung zwischen Implantations- und Diffusionssimulatoren, denn die Kenntnis über amorphe Schichten (Kapitel 6.5 zeigt ein typisches Anwendungsbeispiel) kann nur dann wirklich ausgenützt werden, wenn die Simulation des nachfolgenden Diffusionsschrittes diese Daten auch verwendet.
Für zukünftige Arbeiten ergibt sich ein weites Betätigungsfeld. Campisano
et al. z.B. analysieren in [Cam93] die Abhängigkeit des
Amorphisierungsprozesses von der Art des Dotierstoffes und seiner
Konzentration und fanden für höhere Temperaturen (
) nicht mehr
zu vernachlässigende Effekte. Auch soll nicht verschwiegen werden, daß
natürlich auch die Dosisrate einen Einfluß auf das Ergebnis hat
[Cha71]. Diese Abhängigkeit kann jedoch mittels der Parameter 
und 
berücksichtigt werden, sofern experimentelle Daten vorliegen.