Die Anzahl der implantierten Ionen pro ,,Wafer``-Oberflächeneinheit wird
Teilchenfluß oder Dosis (,,Dose``) genannt und variiert zwischen
10
für MOSFET ,,Threshold adjust``
Implantationen und 10
für vergrabene
Isolationsschichten (,,Buried insulator layers``). Die Dosis wird
bestimmt, indem man die Anzahl der Ladungen, die zum Neutralisieren der
implantierten Ionen benötigt werden, elektrisch mißt.