Die Temperaturkontrolle der Siliziumscheibe spielt vor allem bei
Hochstromanlagen eine wichtige Rolle, da einheitliche Eigenschaften der
implantierten Schichten erzeugt werden sollen und eventuell vorhandene,
temperaturempfindliche Photoresistmasken nicht zerstört werden dürfen. Wie
noch gezeigt wird, geben die Ionen ihre kinetische Energie unter anderem in
elastischen Stößen mit den Siliziumatomen ab. Da dieser Energieübertrag
innerhalb weniger hundert Nanometer stattfindet, steht nur ein sehr kleines
Kristallvolumen zur Aufnahme der Energie zur Verfügung. Im Anschluß wird
die so entstandene thermische Energie im ,,Target`` in Form von
Wärmeleitung und -strahlung
an die Umgebung
abgegeben. In erster Näherung kann man den ,,Wafer`` als isothermes
System ansehen, aber eine effiziente Kühlung von der Rückseite mittels
Flüssigkeiten oder Gasen ist möglich [Kin81, Eva87, Mac92].
Die ,,Wafer``-Temperatur hat maßgeblichen Einfluß auf das Ausheilverhalten der Gitterdefekte während der Implantation (,,Self-Annealing`` oder ,,Dynamic annealing``) und bestimmt damit auch die Wahrscheinlichkeit vollständig amorphisierter Zonen im Siliziumkristall. Da die Amorphisierung für Technologen und Prozeßingenieure eine entscheidende Rolle spielt, wird in Kapitel 2.8.2 und Kapitel 5 auf die zugrundeliegenden Mechanismen eingegangen, bzw. ein neues, effizientes Simulationsmodell vorgestellt.