In Kapitel 2 wird auf die Grundlagen des semiklassischen Transports eingegangen. Die Boltzmanngleichung als Integro-Differentialgleichung kann das Transportverhalten von klassischen Teilchen beschreiben. Zur Lösung der Boltzmanngleichung wird die Monte-Carlo-Methode herangezogen. Deren Grundlagen, also die Bewegungsgleichung, die Berücksichtigung von Elektronenstößen als auch einige wichtige numerische Aspekte in Hinblick auf Reduzierung der Rechenzeit, werden erklärt.
Die Ergebnisse dieser Simulationen für Silizium und Siliziumdioxid werden in
Kapitel 3 vorgestellt und mit experimentellen Daten als auch
theoretischen Berechnungen anderer Forschungsgruppen verglichen. Aufgabe der
vorliegenden Arbeit ist es, das Verhalten von Elektronen in MOS-Strukturen zu
untersuchen. Der Schwerpunkt liegt dabei auf der Analyse des Transports von
Elektronen in Siliziumdioxid bei hohen elektrischen Feldstärken mit der
Monte-Carlo-Methode. Obwohl Siliziumdioxid isolierenden Charakter besitzt, tritt
bei Feldstärken ab 
ein nicht zu vernachlässigender Stromtransport
auf. Zusätzlich wird noch auf die neuesten Meßergebnisse und deren
physikalische Deutung eingegangen. Für den Transport von Löchern in
Siliziumdioxid muß aufgrund der großen effektiven Masse der Löcher die
Verschiebung von Elektronenbindungen berücksichtigt werden, weswegen die
Monte-Carlo-Methode nicht angewandt werden kann.
Die Transmissionswahrscheinlichkeit der Elektronen von Silizium in Siliziumdioxid wird in Kapitel 4 beschrieben. Ausgehend von der Analyse der physikalischen Eigenschaften des Oxids wird ferner die Injektionswahrscheinlichkeit bei Berücksichtigung des quantenmechanischen Charakters von Elektronenwellen an der Grenzfläche des Siliziumsubstrats und der Oxidschicht untersucht. Dabei wird der Einfluß des elektrischen Feldes, der effektiven Masse und die Abhängigkeit von der Oxiddicke analysiert.
In Kapitel 5 wird ein gekoppeltes Monte-Carlo-Modell
vorgestellt, mit dem einerseits im Fall eines homogenen, stationären
Injektionsexperiments das Verhältnis von Gate- zu Bulk-Strom berechnet wird,
als auch andererseits der Gate-Strom und die dazugehörige Stromdichte an der
Si/SiO
-Grenzfläche für einen Transistor mit 
Gate-Länge.
Anschließend werden die Resultate der theoretischen Simulationen diskutiert.
In der Zusammenfassung (Kapitel 6) werden die wichtigsten Ergebnisse
dieser Arbeit nochmals kurz vorgestellt und interpretiert. Für den Einfluß von
Verunreinigungen und Gitterfehlern an der Si/SiO-Grenzfläche, die während
des Herstellungsprozesses entstehen, wird abschließend eine
physikalische, mikroskopische Behandlung schematisch vorgestellt und die damit
verbundenen Schwierigkeiten diskutiert.