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Dielektrische Abschirmung
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Im BH-Modell wird angenommen, daß die Störstellen sehr weit
voneinander entfernt sind, sodaß Wechselwirkungen zwischen benachbarten
Störstellen vernachlässigt werden können. Diese Annahme in
dotierten Halbleitern praktisch nie erfüllt, da die
Abschirmlänge in der Größenordnung des mittleren
Abstands ist (Abbildung
2.1). Die Elektronen in einem
Halbleiter wechselwirken mannigfaltigst mit der Umgebung, sodaß dieser
Prozeß inherent ein Vielkörperproblem darstellt. Es existiert
praktisch keine anerkannte Theorie, die die Multipotentialstreuung uneingeschränkt
beschreiben kann. Nun kann man zeigen, daß sich das Streupotential
von Ni Störstellen als Summe von Interferenztermen
nach (2.24) schreiben läßt,
wenn wir lineare Superposition voraussetzen und der mittlere Abstand ersetzt
wird durch (Ni!)/2 Abstände Rij
zweier Störstellen an der Stelle Ri und Rj.
Da Störstellen eines Vorzeichens das Streupotential nur verstärken
können, haben wir eine nicht-alternierende Reihe, die rasch konvergiert,
da weiter entfernt liegende Störstellen abgeschirmt werden. Aus diesen
Überlegungen ist es legitim, die Streuung an einzelnen Störstellen
auf die simultane Streuung von Elektronen an Paaren von Störstellen
zu erweitern. Die Erweiterung auf drei Störstellen ist insofern problematisch,
als nunmehr Annahmen über den jeweiligen Abstand der einzelnen Störstellen
zueinander zu treffen sind, die nur statistischer Natur sein können.
Jedoch unter der Annahme, daß man eine Verteilung für die verschiedenen
Abstände untereinander kennt, ist es jederzeit möglich, die totale
Streurate für eine beliebige Anzahl an Störstellen zu berechnen.
Als ein Maß für die durchschnittliche Anzahl an Störstellen,
die gleichzeitig an einer Streuung eines Elektrons beteiligt ist, kann
eine Kugel der Abschirmlänge L als Radius definiert werden.
Alle Störstellen außerhalb können aufgrund des mit
exponentiell abfallenden Coulomb-Potentials einer ionisierten Störstelle
vernachlässigt werden. Man kann zeigen, daß überraschender
Weise bei sehr hoher Dotierung durchschnittlich weniger als eine Störstelle
in dieser Kugel enthalten ist, daß also Multipotentialstreuung vernachlässigt
werden kann. Der Grund dafür ist, daß die Abschirmlänge
mit N-1/2 abnimmt, während der mittlere Abstand
R mit N-1/3 fällt. Aus Abbildung 4.3
ist zu erkennen, daß Interferenzeffekte bei der Streuung an ionisierten
Störstellen schon ab 1016 cm-3 die Beweglichkeit
reduzieren, jedoch ihr Maximum natürlich bei höherer Dotierung,
nämlich bei etwa 1020 cm-3 erreichen. Interessanterweise
verschwindet der Effekt wieder bei etwa
cm-3,
obwohl der mittlere Abstand R sehr klein wird. Der Grund liegt in
der starken Abschirmung der Störstellen, was dazu führt, daß
L kleiner als R wird (Abb. 2.1).