Bei dem implementierten Modell wird angenommen, daß der Tunnelbereich dx jener Bereich ist, in dem die Feldstärke
einen entsprechend hohen Wert annimmt. Das Modell reduziert sich damit auf ein lokales, feldabhängiges
Generationsmodell.
Die in MINIMOS-NT implementierte Modellierung des ZENER-Effekts berechnet die Generationsrate RBBT nach
[31,70]
Ein zweites nach [33,57] implementiertes Modell berechnet die Generationsraten für Silizium nach
der Gleichung
Dabei sind die kritischen Feldstärken Fc+, Fc- definiert als
Die Werte für Silizium sind laut [33,57] in Tabelle 5.1 zusammengefaßt. Das Modell
berechnet die Generationsraten ebenfalls durch die lokale Feldstärke, wobei angenommen wird, daß die Feldrichtung
in -Richtung zeigt. Der Einfluß unterschiedlicher Raumrichtungen kann in [56]
nachgelesen werden.