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Unter diese Kategorie fällt die Rekombination von Interstitials und Vacancies an der
Silizium-Siliziumdioxyd Grenze. Im Falle inerter Prozeßbedingungen erzwingt die Grenzfläche die
Gleichgewichtskonzentrationen für Interstitials und Vacancies, welche sich durch die
Teilchenströme gemäß
![\begin{displaymath}\vec{J}_X^{\mathrm {int}}=k_{\mathrm sX}(C_X^{\mathrm {int}}-C_{\mathrm X{eq}})\cdot\vec{n}
\end{displaymath}](img51.gif) |
(2.19) |
einstellen, wobei X jeweils für I und V steht [Hu74]. Der Teilchenfluß
am Rand wird durch die Reaktionsgeschwindigkeiten
sowie durch die Gleichwichtskonzentrationen
am Rand für Vacancies und
Interstitials bestimmt. Die Reaktionsgeschwindigkeiten können entsprechend
![\begin{displaymath}
k_{\mathrm sX}=\frac{D_{X}}{r_{\mathrm sX}}
\end{displaymath}](img55.gif) |
(2.20) |
aus den Diffusionskoeffizienten DX und den Wirkungsradien
ermittelt werden. Es
entspricht dies der Annahme einer diffusionslimitierten
Grenzflächenreaktion [Aga93].
Ernst Leitner
1997-12-30