Dieses Durchbruchphänomen ist sehr ähnlich dem gerade besprochenen, jedoch ist es mit dem body bias effect bei MOSFETs verbunden [8][51]. Der sog. body-Faktor wird hier als
mit (vgl. Abb. 4.3) definiert. In [51] ist
ein analytischer Ausdruck für
angegeben. Wesentlich dabei ist,
daß wie bei einem klassischen MOSFET auch hier
gilt.
ist die Dotierungskonzentration des
-bodies.
Der Sourcestrom im Ersatzschaltbild in Abb. 4.3 ergibt sich (bei ausgeschaltetem parasitärem Bipolartransistor) zu:
Der bei Lawinengeneration entstehende Strom erzeugt an eine Spannung
, die über den body-Faktor zum Transistorstrom einen Beitrag
leistet. Mit dem Multiplikationsfaktor
ergibt sich der body-Strom
zu:
Daraus folgen und
:
Mit Hilfe von Gleichung 4.1 kann die snapback-Spannung für diesen Effekt berechnet werden:
Man sieht, daß die snapback-Spannung wiederum verkehrt proportional zum Basiswiderstand ist. Im Gegensatz zum sekundären Bipolardurchbruch ist hier der parasitäre Bipolartransistor aber ausgeschaltet.