Um zeitlich veränderliche Vorgänge simulieren zu können, ist ein dynamisches Modell für die Schaltungssimulation notwendig. Dieses beschreibt das nichtstationäre, kapazitive Verhalten der Halbleiterbauelemente. Die den Bauelementanschlüssen zuzurechnenden Ladungen bewirken Lade- und Entladeströme. Diese Ladungen sind Funktionen der an den Kontakten anliegenden Spannungen.
Die heute tatsächlich verwendeten dynamischen MOSFET-Modelle sind meist quasistatische Modelle, obwohl auch nichtquasistatische Ansätze vorgestellt wurden (z.B. in [92] und [126]). Quasistatisch bedeutet hier, daß man davon ausgeht, daß die angelegten Spannungen genügend langsam variieren, sodaß die Ladungen im Bauelement ihnen folgen können. Eine Abschätzung aus [6] und [126] besagt, daß quasistatische Modelle dann gute Ergebnisse liefern, wenn für die Anstiegszeit der angelegten Spannungen
gilt. Mit 
und 
ergibt sich 
. Für DMOS-Transistoren, die oft mit konstantem Gatestrom relativ
langsam geschaltet werden (siehe auch Kapitel 7.2), ist ein
quasistatisches Modell mit Sicherheit ausreichend.
Alle dynamischen Modelle für die Schaltungssimulation beruhen auf einer Beschreibung der eigentlich verteilten Kapazitäten durch konzentrierte Ersatzelemente. Die zwei wichtigsten Ansätze sollen vorgestellt werden:
