Ab Mitte der 60er Jahre wurde versucht, mittels ligthly doped drain (LDD)-Strukturen MOSFETs auch für höhere Spannungen einsetzbar zu machen [12][14][31][137]. Doch war es mit den damaligen Technologien nicht möglich, diese Strukturen auch mit entsprechend kurzen Kanallängen herzustellen, um die Kanalleitfähigkeit und die Ströme zu erhöhen. Dies wurde zu Beginn der 70er Jahre durch die Entwicklung der ,,Doppelt Diffundierten`` MOS (DMOS)-Struktur möglich [111]. Analog zum klassischen MOSFET war die erste DMOS-Struktur lateral (LDMOS, siehe Abb. 2.1).
Abbildung 2.1: Struktur des LDMOS-Transistors.
Bei DMOS-Strukturen wird der Kanal durch die
unterschiedlich weite Unterdiffusion von nacheinander an derselben
Maskenkante eingebrachten und diffundierten Dopanden gebildet. Beim 
-Kanal
DMOS-Transistor wird zuerst eine 
-Dotierung eingebracht und diffundiert,
die den Kanal bildet (-body), dann die 
-Sourcedotierung. Dies
erlaubt - bei
präziser Prozeßführung - definierte Kanallängen im Mikrometerbereich.
Diese Kanaldefinition bringt allerdings eine in lateraler Richtung
(Stromflußrichtung) nichtkonstante Kanaldotierung mit sich (siehe
Abb. 2.1 unten).