In dieser Arbeit wurde ein Programm zur Computersimulation der Ionen-Implantation in realistischen dreidimensionalen Strukturen beschrieben. Aufgrund von speziellen Überlegungen (Octree) für die Bestimmung des Aufenhaltsortes eines eingeschossenen Teilchens zu einem bestimmten Zeitpunkt ist es erstmals möglich, echte dreidimensionale Berechnungen für allgemeine Geometrien in vertretbarem Zeitrahmen durchzuführen.
Außerdem konnte die Octree-Methode auch leicht in einen Simulator für kristalline Targets eingebaut werden und erleichtert dort die notwendige Skalierung der Geometrie auf die Gitterkonstante. Darüber hinaus erlaubt die Diskretisierung der Simulationsstruktur mittels des Octrees eine triviale Kopplung mit Topographiesimulatoren, die auf einer zellulären Strukturrepäsentation basieren.
Für zukünftige Entwicklungen gibt es zwei Vorstoßrichtungen: (1) Es kann untersucht werden, ob es sinnvoll ist, den Octree noch weiter zu verbessern, oder ob die derzeitige Diskretisierung hinreichend genau und die aufgrund der rasanten Entwicklung auf dem Computersektor mögliche zunehmend feinere Auflösung der Geometrie ausreichend ist. Eine Verbesserung der Diskretisierung könnte dadurch erreicht werden, daß nicht nur Würfel für die Leaf-Elemente des Octrees zugelassen werden, sondern allgemeine konvexe Körper. Außerdem ist es unter Umständen überlegenswert, den Octree nicht - wie bei der Originalmethode - äquidistant zu unterteilen, sondern immer an den Eckpunkten der Geometrie. (2) Eine Weiterentwicklung auf dem physikalischen Sektor ist unumgänglich. Obwohl Simulatoren für amorphe Materialien Implantationsprofile oft hinreichend genau vorhersagen und Programme für kristalline Targets die meisten zusätzlichen Effekte (zum Beispiel größere Eindringtiefe durch channeling) vorhersagen können, ist eine Ausweitung auf transiente Vorgänge wie etwa die Amorphisierung von kristallinem Silizium während der Implantation notwendig für die exaktere Modellierung der Natur. Aufgrund der bereits sehr ausgereiften Techniken zur Beschleunigung der Berechnung der Ionen-Implantation und der trotzdem zu erwartenden extrem hohen Rechenzeiten für solche Simulationen erscheint es aber sinnvoll, auch Erfahrungen mit Parallelrechnern zu sammeln.