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Dissertation Hannes Stippel
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Danksagung
Inhaltsverzeichnis
Kurzfassung
Abstract
Danksagung
Liste der Symbole
1 Einleitung
1.1 Die Ionen-Implantation
1.2 Die Simulation der Ionen-Implantation
1.2.1 Analytische Berechnung
1.2.2 LSS-Theorie
1.2.3 Boltzmann-Transport-Gleichung
1.2.4 Monte-Carlo Methode
1.3 Aufbau dieser Arbeit
2 Physikalische Grundlagen
2.1 Einleitung
2.2 Streuvorgang
2.3 Interatomares Potential
2.4 Elektronische Abbremsung
2.4.1 Allgemeine Überlegungen
2.4.2 Spezielle Überlegungen für kristalline Targets
2.5 Die freie Weglänge
2.6 Schlußbemerkung
3 Analytische Beschreibung der Ionen-Implantation
3.1 Einleitung
3.2 Punktantwort
3.3 Verteilungsfunktionen
3.3.1 Vertikale Verteilungsfunktionen
3.3.2 Laterale Verteilungsfunktionen
3.3.3 Mehrlagenstrukturen
3.4 Implantationsprofile in allgemeinen Strukturen
3.5 Vergleich mit Monte-Carlo Berechnungen
3.5.1 Planares Substrat mit Oxyd-Maske
3.5.2 Trench
3.5.3 Implantation mit Tilt
3.6 Schlußbemerkung
4 Gitteradaption für die Monte-Carlo Simulation
4.1 Einleitung
4.2 Anfangsgitter
4.3 Kriterien für die Gitteradaption
4.4 Der Algorithmus für die Adaption
4.5 Beispiel
4.6 Schlußbemerkung
5 Monte-Carlo Simulation im dreidimensionalen Raum
5.1 Einleitung
5.2 Superpositionsmethode
5.3 Geometrieabfragen
5.3.1 Die Schnittmethode
5.3.2 Die Methode der konvexen Teilgebiete
5.3.3 Die Winkelmethode
5.3.4 Die Slab-Methode
5.3.5 Der Octree
5.4 Beispiel
5.5 Schlußbemerkung
6 Applikationen
6.1 Einleitung
6.2 Spezielle Trench Strukturen
6.2.1 Geometriedefinition
6.2.2 Ergebnisse
6.3 Allgemeines Modul: Einfache Maske
6.4 Vergleich: Spezielle Geometrien gegenüber allgemeinen Strukturen
6.5 Vergleich: Zwei- und dreidimensionale Simulatoren
6.6 Simulation einer Struktur aus der Topographiesimulation
6.7 Kristallines Beispiel
6.8 Schlußbemerkung
7 Zusammenfassung und Ausblick
Literaturverzeichnis
Eigene Publikationen
Abbildungsverzeichnis
Curriculum Vitae
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Martin Stiftinger
Sat Oct 15 14:00:19 MET 1994