Bei der Simulation in kristallinen Targets gibt es - durch die
Kristallausrichtung bestimmte - Vorzugsrichtungen, das heißt, in
manchen Richtungen kann sich das Ion leichter fortbewegen, weil es
sogenannte Kanäle (Channels) vorfindet [Tho73]. Diese Kanäle
fangen sozusagen Ionen ein, weil sich dort die Ionen leichter
fortbewegen können. Die elektronische Abbremsung für Ionen, die sich
in solchen Kanälen fortbewegen ist etwas kleiner als die
elektronische Stopping Power für Ionen, die sich in einer zufälligen
Richtung bewegen. Das kann durch ein stoßparameter-(
-)abhängiges
Modell berücksichtigt werden [Hob93]. In dem Programm zur
Simulation der Ionen-Implantation in kristalline Targets wird ein
Modell verwendet, das einen von der Weglänge 
abhängigen Teil und
einen Teil, der vom Stoßparameter abhängt, enthält. Der von der
freien Weglänge abhängige Teil ist in Gl. (2.28)
dargestellt, der vom Stoßparameter abhängige in Gl. (2.29).
In obigen Gleichungen ist 
die atomare Dichte. Die elektronische
Abbremsung 
wird proportional zur Ionengeschwindigkeit angenommen
(siehe Gl. (2.30)). Nur für hohe Geschwindigkeiten wird das
Modell von Ziegler und Biersack für die elektronische Abbremsung
verwendet.
und 
bezeichnen den nicht lokalen, von
abhängigen () beziehungsweise den lokalen, von
abhängigen () Anteil von . Es gilt
Gl. (2.31).
ist die Abschirmlänge des stoßparameterabhängigen Teils. Er
berechnet sich laut Gl. (2.32) nach einem Vorschlag
von Oen und Robinson [Rob63], wobei 
die Abschirmlänge aus
dem interatomaren Potential (siehe Abschnitt 2.3,
Gl. (2.11)) ist.
Der nichtlokale Anteil ist energieabhängig nach
Gl. (2.33). Defaultwerte für 
, 
, 
und 
sind
für Bor-, Phosphor- und Arsen-Ionen in Silizium im Programm
vorhanden [Hob93].
