DIE Beschäftigung mit der Physik der Wechselwirkung von
geladenen Teilchen mit Materie geht auf den Beginn des 20.
Jahrhunderts zurück. So wurde etwa bereits zu Anfang dieses
Jahrhunderts der Atomkern im Rahmen von Streuexperimenten mit
-Teilchen entdeckt, und auch heute noch ist dieses Thema für
Forschungen auf dem Gebiet der Kernspaltung und der Kernfusion von
Interesse.
Für die elektronische Industrie wurde die Idee der Einbringung von Dotieratomen eines Halbleiters mittels des Einschießens von Ionen von William Shockley [Sho54] 1954 in den Bell Laboratorien entwickelt und patentiert. Vor allem in den 60iger Jahren wurde die Ionen-Implantation dann weiterentwickelt. In [Gib68] werden diese ersten Entwicklungen zusammengefaßt.
Bis heute hat sich die Ionen-Implantation als die wichtigste Methode der Dotierung von Halbleitern etabliert. Ein Überblick über die Entwicklung der Ionen-Implantation kann aus den ,,Proceedings of the International Conference on Ion Implantation`` [Nam75] und aus einigen Büchern [Rys86b], [Gil88] gewonnen werden. Ein Standardwerk für die Simulation der Ionen-Implantation ist das Buch von Ziegler, Biersack und Littmark [Zie85].