Normalerweise können Simulatoren für die Ionen-Implantation immer nur Strukturen behandeln, die von ebenen Flächen begrenzt werden. In der Realität kommen aber solche rein planare Strukturen praktisch nie vor. Diese realen Geometrien müssen daher sonst immer, je nach Anwendung verschieden und entsprechend angepaßt, diskretisiert werden. Hier soll ein Programm beschrieben werden, mit dem bestimmte reale Trenchstrukturen behandelt werden können, die auch von gekrümmten Flächen begrenzt sind. Es soll speziell darauf hingewiesen werden, daß bei dem hier vorgestellten Programm kein Octree nach Kapitel 5 für das Problem der Ortsbestimmung verwendet wird, sondern die Schnittmethode. Hier werden die Seitenwände mittels Halbkreisen modelliert. Für den Octree müßten erst die gekrümmten Seitenwände durch planare Rechtecke angenähert werden.