Abbildung: Ergebnis einer
Implantation von Arsen mit 100 keV unter 
, 
und
Neigungswinkel in die Struktur aus
Abb. 6.3. Schnitt in der Mitte des Trenches (entlang
der strichlierten Linie in der nebenstehenden Skizze),
parallel zur x/z-Ebene.
Abbildung: Ergebnis einer
Implantation von Arsen mit 100 keV unter , und
Neigungswinkel in die Struktur nach
Abb. 6.3. Schnitt in der Mitte des Trenches (die Lage
des Schnittes kann der nebenstehenden Skizze entnommen werden),
parallel zur x/y-Ebene.
Als ein Beispiel werden hier noch in Abb. 6.4 und
Abb. 6.5 die Ergebnisse einer Implantation von Arsen mit
, und Neigungswinkel in die Geometrie
nach Abb. 6.3 gezeigt. Die Ionen wurden mit einer
Energie von 100 keV eingeschossen und die Probe wurde während der
Implantation kontinuierlich um die z-Achse rotiert. Es wurden drei mal
500 Millionen Teilchen (jeweils 500 Millionen für einen
Neigungswinkel) aus jeweils 5 Millionen unabhängigen
Modelltrajektorien gerechnet. Die Simulation dauerte 25 Stunden auf
einem HP 9000/735 Arbeitsplatzrechner.
Im Vergleich zu Ergebnissen aus zweidimensionalen Simulationen gibt es - speziell in der Mitte des Trenches (siehe Abb. 6.4) - praktisch keine Unterschiede. Das kommt daher, weil für die zweidimensionale Modellierung angenommen wird, daß die Struktur in die dritte Dimension unendlich lange fortgesetzt wird (siehe Abb. 6.1 (a)). Diese Bedingung ist aber in der Mitte des Trenches sehr gut erfüllt. Außerdem wurden hier durch die kontinuierliche Rotation der Halbleiterscheibe und die Verwendung von drei verschiedenen Implantationswinkeln jegliche dreidimensionalen Effekte vermieden; ganz abgesehen davon, daß die Struktur ohnehin sehr glatt ist. Dies kann vor allem auch in Abb. 6.5 gesehen werden, in der ein Schnitt parallel zur Oberfläche (normal zur z-Achse) gezeigt wird.
Das Profil in Abb 6.5 ist sehr glatt und symmetrisch.
Die leichte Unsymmetrie der linken Seite (bei ungefähr x=
m)
an der mit 1 bezeichnete Stelle im Vergleich zur rechten Seite
(ebenfalls bei etwa x=
m) an der mit 2 bezeichnete Stelle kommt
davon, daß die Steigung der Trenchflanke in dieser Höhe links
flacher ist als rechts. Bei einer vorgegebenen Höhe ist die, in der
Einfallsrichtung des Ionenstrahles befindliche, darüberliegende
Materialschichte auf der linken Seite geringer als auf der rechten.
Daher sind dort die Konzentrationen etwas höher.