Wie bereits zu Beginn erwähnt, wird die Simulation in der Entwicklung von Halbleiterbauelementen aufgrund der dadurch erreichbaren Zeit- und Geldersparnis immer wichtiger. Multidimensionale Optimierungen von verschiedenen Prozeßparametern bezüglich des Erreichens eines bestimmten elektrischen Verhaltens, wie etwa in [Pim91], [Mey93] beschrieben, können durch Kombination von Prozeß- und Bauelementsimulatoren viel schneller durchgeführt werden als rein mittels Experimenten, beziehungsweise wären solche Optimierungen ohne Simulationen überhaupt nicht mehr möglich. Typische Simulationszeiten liegen im Stunden- oder bei komplexeren dreidimensionalen Aufgaben maximal im Tagesbereich, wohingegen Experimente oft Wochen dauern [Fic88]. Darüberhinaus können zweidimensionale Dotierungsprofile nur sehr ungenau gemessen werden. Einige Prozeßsimulatoren sind in [Sig69], [Ant78], [Tie80], [Mur82], [Ho83], [Mal83a], [Pen83], [Sal83], [Lor85], [Pic85], [Ohg87], [Bac88], [Law88], [Oda88] beschrieben und Bauelementsimulatoren in [Sel80], [Fra85], [Pin85]. Weiters können auch prinzipielle Funktionsfehler in Bauelementen durch Simulationen detektiert und eventuell sogar eliminiert werden, wie zum Beispiel in [Sch93] demonstriert wird.
Um die implantierten Fremdatome auch elektrisch zu aktivieren, ist eine thermische Nachbehandlung (Ausheilen, Annealing) notwendig. Da früher wesentlich längere Diffusionszeiten bei diesem Annealing verwendet wurden, spielte das ursprüngliche Dotierungsprofil nach der Ionen-Implantation keine so große Rolle. Die Vorhersage von Implantationsprofilen und daher auch die Simulation der Ionen-Implantation wird immer wichtiger, weil durch die Verwendung von RTA das ursprüngliche Profil nicht mehr sehr verändert wird. Zusätzlich gewinnt die Ionen-Implantation selbst wegen der bereits geschilderten Vorteile immer mehr an Bedeutung. In den nächsten Abschnitten soll kurz auf die verschiedenen Möglichkeiten zur Simulation der Ionen-Implantation eingegangen werden.