Abbildung 3.3: Beispiel: Siliziumsubstrat mit
einfacher Oxydmaske. Es wird Bor mit einer Energie von 100 keV unter
einem Neigungswinkel von 
implantiert.
Abbildung 3.4: Ergebnis der
Simulation mit Monte-Carlo Methode.
Abbildung 3.5: Ergebnis der Simulation mit analytischer Methode.
Die Teststruktur, in die implantiert wird, ist in Abbildung 3.3 zu sehen. Sie besteht aus einem planaren Substrat, das teilweise mit einer Oxyd-Maske bedeckt ist. Das Ergebnis der Berechnung mittels der analytischen Methode ist in Abb. 3.5 zu sehen. Das gleiche Beispiel (Bor-Implantation mit 100 keV), mit der Monte-Carlo Technik gerechnet, ist in Abb. 3.4 abgebildet.
Die Übereinstimmung der analytischen Ergebnisse mit den Monte-Carlo Resultaten ist prinzipiell recht gut. Leichte Unterschiede ergeben sich in der Vorhersage der lateralen Ausdehnung des Implantationsprofiles, obwohl für die analytische Berechnung tiefenabhängige laterale Momente herangezogen wurden, die an Monte-Carlo Ergebnisse angepaßt wurden. Trotzdem kann die laterale Konzentration nur mittels der Monte-Carlo Methode richtig vorhergesagt werden.
Ein weiterer, signifikanterer Unterschied ist in der Konzentration an der Oberfläche des Substrates zu sehen. Dort ist im Falle der Simulation mittels der Monte-Carlo Methode eine Überhöhung der Konzentration um eine Größenordnung gegenüber der analytischen Methode zu sehen. Diese höhere Dotierung stammt von Ionen, die kurz in die Maske eindringen, dann aber nach einigen Kollisionen wieder austreten und schließlich noch in das Substrat eindringen.