Einen entscheidenden Einfluß auf das Ätzverhalten hat die Wahl der
Gasmischung. Sie besteht im Normalfall aus einem halogenhaltigen Gas (für
organische Materialien: sauerstoffhältigen Gas), das im Plasma mit der zu
ätzenden Oberfläche zu flüchtigen Produkten reagiert, und einem inerten
Anteil (z.B. 
), der die physikalische Komponente verstärkt. Je mehr
Kohlenstoff und Wasserstoff im Plasma vorhanden ist, desto stärker
neigt der Prozeß zur Polymerbildung, welche die Anisotropie durch
Seitenwandpassivierung unterstützen oder herbeiführen kann und auch einen
Einfluß auf die Selektivität hat. Beim physikalischen Ätzen ist der
Einfallswinkel der Ionen von Bedeutung, d.h. die Ätzrate ist im
allgemeinen nicht bei senkrechten Einfall, sondern bei einer bestimmten
Schrägstellung maximal. Die durch den Spannungsabfall bestimmte
Ionenenergie ist ebenfalls ein wichtiger Parameter. Ist sie niedrig, so
erwartet man eine gute Selektivität des Ätzprozesses. Erhöht man den
Druck, so wird die mittlere freie Weglänge geringer, was in mehr Radikalen
und Ionen resultiert. Dadurch kann zum Beispiel die Ätzrate erhöht werden,
aber auch verstärkte Polymerbildung auftreten. Die Ätzrate steigt im
allgemeinen monoton mit der Leistung, dagegen werden die Selektivitäten
schlechter. Die Frequenz beeinflußt die Ionenenergie und die chemischen
Prozeße im Plasma. Der Gasfluß hat Auswirkungen auf die Uniformität, da
er zusammen mit dem Druck und der Art des Gaseinlasses die räumliche
Verteilung der Reaktantenkonzentration bestimmt. Die Reaktorgeometrie
(Größe, Abstand und Form der Elektroden) hat einen zusätzlichen Einfluß
auf die Ätzrate und Uniformität. Die Ätzrate beim Plasmaätzen im
Parallelplatten-Reaktor ist stark abhängig vom Elektrodenabstand, und die
Ionenenergie beim Reaktiven Ionenätzen steigt mit dem Flächenverhältnis
zwischen Anode und Kathode.