Inhaltsverzeichnis

• Kurzfassung
• Abstract
• Danksagung
• 1 Einleitung
  • 1.1 Motivation
  • 1.2 Topographiesimulation
    • 1.2.1 Modellbildung
    • 1.2.2 Simulatorentwicklung
  • 1.3 Überblick
• 2 Analyse bestehender Algorithmen
  • 2.1 Der String-Algorithmus
    • 2.1.1 Die Bewegung der Punkte
    • 2.1.2 Fehlerquellen
    • 2.1.3 Erweiterungen
    • 2.1.4 Dreidimensionale Simulation
  • 2.2 Der Ray-Trace-Algorithmus
    • 2.2.1 Die Beschreibung der Trajektorien
    • 2.2.2 Fehlerquellen
    • 2.2.3 Erweiterungen
    • 2.2.4 Dreidimensionale Simulation
  • 2.3 Der Cell-Removal-Algorithmus
    • 2.3.1 Das Entfernen von Zellen
    • 2.3.2 Fehlerquellen
    • 2.3.3 Dreidimensionale Simulation
  • 2.4 Topographiesimulation durch Lösung einer Diffusionsgleichung
    • 2.4.1 Die Bewegung der Oberfläche
    • 2.4.2 Fehlerquellen
• 3 Ein neues Verfahren für die Topographiesimulation
  • 3.1 Mathematische Morphologie
    • 3.1.1 Minkowski-Addition und -Subtraktion
    • 3.1.2 Dilatation und Erosion
  • 3.2 Das strukturierende Element
  • 3.3 Geometrie- und Materialbeschreibung
  • 3.4 Die Bewegung der Oberfläche
    • 3.4.1 Der Ansatzpunkt des strukturierenden Elements
    • 3.4.2 Materialgrenzen
  • 3.5 Einfache Ratenmodelle
    • 3.5.1 Konstante Ätz- und Depositionsraten
    • 3.5.2 Analytische Ätzratenmodelle
  • 3.6 Fehlerquellen
  • 3.7 Entfernen abgetrennter Materialstücke
  • 3.8 Dreidimensionale Simulation
  • 3.9 Konvertierung der zellulären Geometrie
    • 3.9.1 Entrasterung
    • 3.9.2 Vereinfachung
• 4 Ätz- und Depositionsprozesse in der Halbleitertechnologie
  • 4.1 Naß- und Trockenätzverfahren
    • 4.1.1 Naßchemisches Ätzen
    • 4.1.2 Trockenätzen
      • Ätzmechanismen
      • Reaktoren und Anlagentechnik
      • Einfluß verschiedener Plasmaparameter
  • 4.2 Depositionsverfahren
    • 4.2.1 PVD-Verfahren
      • Sputter-Verfahren
      • Aufdampf-Verfahren
    • 4.2.2 CVD-Verfahren
• 5 Modellierung von Ätz- und Depositionsprozessen
  • 5.1 Notwendige Geometrieoperationen
    • 5.1.1 Sichtbarkeit
    • 5.1.2 Oberflächenorientierung
  • 5.2 Modellierung von Ätzprozessen
    • 5.2.1 Isotroper Ätzangriff
    • 5.2.2 Direkt einfallende Ionen
    • 5.2.3 Direkt einfallende Neutralteilchen
    • 5.2.4 Reflektierte Teilchen
    • 5.2.5 Studie der Modellparameter
  • 5.3 Modellierung von Depositionsprozessen
    • 5.3.1 PVD-Verfahren
    • 5.3.2 CVD-Verfahren
    • 5.3.3 Studie der Modellparameter
• 6 Anwendungen
  • 6.1 Ionenstrahlätzen unter Berücksichtigung der Redeposition geätzten Materials
  • 6.2 Plasmaunterstütztes Ätzen tiefer Gräben
  • 6.3 Untersuchung der Stufenbedeckung bei Sputter-Depositionen
  • 6.4 Strukturierung und Beschichtung eines Kontaktloches
  • 6.5 Simulation des Herstellungsprozesses einer Speicherkapazität
• 7 Ausblick
• Literaturverzeichnis
• Eigene Veröffentlichungen
• Lebenslauf
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