In den vergangenen Jahren entstand eine Reihe zweidimensionaler Topographiesimulatoren wie SAMPLE [Old79], [Old80], BICEPS [Pen83], COMPOSITE [Lor85], FEDDS [Bor85], ESPRIT [Yam87], SPEEDIE [McV90a], SIMBAD [Smy90], DEER [Taz92b], ELITE [Sil93] und DONATELLO [Tec94]. Viele dieser Programme verwenden den bekannten String-Algorithmus [Jew79] (siehe Kapitel 2.1), um die Geometrie zu ändern und erlauben generelle Topographiesimulation von Lithographie-, Ätz- und Depositionsprozessen.
Für die dreidimensionale Simulation von Lithographieschritten existiert eine Vielzahl von Programmen wie RD3D [Jon81], TRIPS [Mon87], SAMPLE-3D [Sch91b], SOLID [Hen91], PEACE [Hir91] und 3D-EBLS [Lee91], jedoch nur sehr wenige Programme für die Simulation von Ätz- und Depositionsprozessen: SAMPLE-3D [Sch91b] und ADEPT [Pel91]. Der Grund dafür ist, daß sich der String-Algorithmus nur unter beträchtlichen Schwierigkeiten auf die dreidimensionale Simulation erweitern läßt und der Cell-Removal Algorithmus [Dil75] (siehe Kapitel 2.3), der von den meisten hier angeführten Programmen verwendet wird, nur bedingt für die generelle Topographiesimulation geeignet ist.