Beim Aufdampf-Verfahren wird ein Verdampfergut im Vakuum so hoch erhitzt,
bis der Dampfdruck für ein nennenswertes Aufdampfen ausreicht. Die
verdampfenden Atome oder Moleküle verlassen die Oberfläche des
Verdampfergutes und schlagen sich als Schicht auf dem Substrat und
umgebenden Wänden nieder. Der Prozeß findet üblicherweise bei
statt, sodaß die abgedampften Teilchen praktisch ohne
Kollisionen, also geradlinig von der Quelle zum Substrat fliegen. Der
Aufdampfprozeß erlaubt wegen der gerichtet auftreffenden Atome keine
konforme Bedeckung von stufenbehafteten Oberflächen. Selbst wenn man zum
Beispiel durch planetenartige Bewegung der Halbleiterscheiben während des
Aufdampfens für eine ständige Änderung des Aufdampfwinkels sorgt, kommt
es an Stufen und in Vertiefungen infolge von Abschattungen zu einer
reduzierten Schichtabscheidung. Mit Hilfe einer erhöhten Substrattemperatur
(bis 
) während des Aufdampfens erreicht man eine erhöhte
Beweglichkeit der Atome auf der Substratoberfläche, sodaß zumindest
Spaltbildungen an steilen Stufen vermieden werden kann. Eine zusätzliche
Schwierigkeit beim Aufdampf-Verfahren besteht darin, reproduzierbar eine
bestimmte gewünschte Schichtzusammensetzung (z.B. 99% 
und 1%
) beim Verdampfen mit einer oder mehreren Quellen einzuhalten. Wegen
dieser Nachteile ist das Aufdampf-Verfahren heute weitgehend durch das
vorher beschriebene Sputter-Verfahren verdrängt worden.