Um die Oberfläche der Simulationsgeometrie zu bewegen, wandert das
strukturierende Element entlang der exponierten Zellen, wobei die
Abmessungen entsprechend den Parametern 
und 
verändert werden. Im Falle eines Ätzvorganges werden alle Materialzellen,
die das strukturierende Element überstreicht, markiert, wobei entscheidend
ist, ob der Mittelpunkt der betrachteten Zelle innerhalb der Berandung des
strukturierenden Elements liegt. Abbildung 3.12 zeigt das Markieren
der Materialzellen während des Ätzvorganges. Im Gegensatz
Abbildung 3.12: Das Markieren der Materialzellen während des Ätzvorganges.
dazu werden im Falle eines Depositionsprozesses die von dem strukturierenden Element erfaßten Vakuumzellen der Simulationsgeometrie markiert. Durch den Markierungsvorgang bleibt die Geometrie während eines simulierten Zeitschrittes zunächst noch unverändert, wodurch das strukturierende Element zweier unmittelbar benachbarter Zellen dieselbe Geometrie vorfindet. Dies ist für die korrekte Behandlung von Materialübergängen von Bedeutung. Nachdem das strukturierende Element an allen Oberflächenzellen angewendet wurde, wird der Materialindex der markierten Zellen entsprechend dem simulierten Prozeß geändert. Im Falle eines Ätzprozesses wird der Materialindex der markierten Zellen auf den Materialindex von Vakuum gesetzt, im Falle eines Depositionsprozesses wird der Materialindex auf den Materialindex des zu deponierenden Materials geändert. Anschließend wird die Liste der Oberflächenzellen neu erstellt. Dazu werden alle Materialzellen auf ihre Nachbarzellen hin untersucht. Jene Materialzellen, die zumindest über eine Kante an eine Vakuumzelle grenzen, werden in die Liste der Oberflächenzellen aufgenommen. Die detektierten Oberflächenzellen beschreiben über ihre exponierten Zellseiten die Oberfläche der nun veränderten Simulationsgeometrie zum betrachteten Zeitpunkt.
Der Algorithmus für die Bewegung der Oberfläche kann somit folgendermaßen formuliert werden: