2.2.1 Microstrip-Lines und Leitungen integrierter Schaltungen
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Der folgende qualitative Vergleich der Leiterbahntechniken zwischen der
Hochfrequenztechnik und der Verbindungstechnik digitaler integrierter Schaltungen soll darüber Aufschluß
geben, daß Methoden, die zur Berechnung von Microstrip-Lines Verwendung finden, nur stark
eingeschränkt auf Leitungen integrierter Schaltung übertragbar sind.
Folgende Überlegungen führen zu diesem Schluß:
- Leitungsgeometrien:
Die Formen von Microstrip-Lines sind meist weitestgehend dem Verwendungszweck
angepaßt und sehr vielseitig. Leitungen auf integrierten Schaltungen weisen im Gegensatz dazu relativ
einfache Strukturen auf.
Da Layout-Systeme, die Verbindungen vollautomatisiert verlegen und die Strukturbildung mit Masken auf
photolithografischem Wege mit Ätz- und Depositionsverfahren erfolgt, sind die geometrischen Spielräume
in der Leiterbahnführung und Leiterbahngeometrie stark eingeschränkt. - Komplexität:
Die Anzahl der Leitungssysteme im VLSI Schaltungen übertrifft die der
Mikrowellenschaltungen bei weitem.
- Ohmsche Verluste:
Die Leiterbahnen integrierter Schaltungen weisen bei geringen Querschnitten relativ große Längen auf.
Dadurch ergeben sich außerordentlich hohe Ohmsche Verluste
( [Gra91]), die in keiner Relation zu den Verhältnissen bei
Microstrip-Lines stehen, da dort die ohmschen Widerstände vernachlässigbar sind.
- Maximal übertragbare Frequenz:
Microstrip-Lines werden meist für den Betrieb bei Frequenzen von ausgelegt. Für
CMOS-Siliziumtechnologie kann man heute eine Grenzfrequenz von etwa ansetzen.
- Bandbreite:
Bei vielen digitalen integrierten Schaltungen ist die Grenzfrequenz gleich der Bandbreite zu setzen.
Die Bandbreite von Mikrowellenschaltungen ist um Größenordnungen geringer.
Die Analyse von Verdrahtungsstrukturen integrierter Schaltungen ist im Frequenzbereich kaum sinnvoll,
da die Rücktransformation mit Fast-Fourier-Transformationen durch die große Bandbreite numerisch
sehr aufwendig ist. Ein weiteres Hindernis zur Anwendung von harmonischen Analyseverfahren
im großen Bereich der Digitalschaltungen stellt die ausgeprägte Nichtlinearität der aktiven Bauteile dar.
Eine Erweiterung, um auch Kopplungeffekte mehrerer paralleler Leitungen zu berücksichtigen,
wird in [Pan89][Orh93][Gra91] ausgeführt. Dazu wird die
Ausbreitungskonstante der homogenen Wellengleichung auf
Matrizen erweitert. Diese Matrizen beschreiben die kapazitiven
und induktiven Kopplungen in der Ebene quer zur Ausbreitungsrichtung. Man löst nun nicht das
verkoppelte Gleichungssystem, sondern diagonalisiert das System mit Pre- und Postmultiplikation durch
.
Die diagonalisierte Matrix besteht aus den Eigenwerten von .
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Martin Stiftinger
Fri Nov 25 16:50:24 MET 1994