Wie gezeigt wurde, eignen sich 
und 
zur Beschreibung der
Temperaturabhängigkeit von 
. Soll nun mit Hilfe von 
die
Ortsabhängigkeit von nachgebildet werden, so liegt es auf der Hand,
diese beiden Parameter auch für diesen Zweck heranzuziehen.
Aus prinzipiellen physikalischen Überlegungen können folgende Tendenzen abgeleitet werden:
wächst monoton mit der Punktdefektdichte, denn eine
geringere Dichte bedeutet eine höhere Wahrscheinlichkeit für Annihilation,
damit enstehen weniger stabile Gitterschäden und somit genügt schon eine
geringere Temperatur, um das Entstehen von amorphen Schichten vollständig
zu verhindern. Außerdem wurde bereits in [Den75] experimentell
beobachtet, daß sich proportional zur Ionenmasse verhält, d.h.,
schwerere Ionen wie z.B. Arsen können auch bei 
Silizium
amorphisieren.
nimmt monoton mit der Punktdefektdichte ab, denn bei
geringeren Dichten wird eine größere Aktivierungsenergie zur Diffusion
benötigt und daher kann das Gebiet leichter amorphisiert werden.
Bereits in Kapitel 5.3 wurde darauf hingewiesen, daß der
Verlauf von für die Punktdefektverteilung von Bedeutung
ist. Mit Potenzfunktionen von kann daher die
Ortsabhängigkeit von und folgendermaßen beschrieben
werden:
ist die maximale Damage-Energiedichte bei 
. 
und 
sind zwei Exponenten, mit deren Hilfe der Verlauf von
bzw. 
variiert werden kann.
Bei der Untersuchung der Energieabhängigkeit zeigte sich, daß
, und im betrachteten Bereich (150keV 
300keV) praktisch konstant sind und 
mit
skaliert werden kann. Zur Kalibrierung des Modells für eine bestimmte
Ionenart sollte es daher genügen, wenn man zwei charakteristische X-TEM\
Meßserien für unterschiedliche Ionenenergien 
zur Verfügung hat.
In den Tabellen 5.1 bzw. 5.2 sind jene
Werte für , , und in Abhängigkeit
der Ionenart tabellarisch zusammengestellt, die aus vorhandenen
experimentellen Daten abgeleitet wurden [Mas86, Rys86c].
Tabelle 5.1: Die Parameter
und des Ausdiffusionsmodells.
Tabelle 5.2: Die
Parameter und für die Ortsabhängigkeit der Amorphisierung.