Maszara und Rozgonyi implantierten einen 3'' p-dotierten
(100) Silizium-,,Wafer`` mit 150keV und 300keV 
Ionen. Dabei
variierten sie die Dosis D zwischen 
, wobei die Dosisrate 
betrug. Da -- wie schon des öfteren erwähnt -- die
Temperatur T eine große Rolle bei der Defektbildung spielt, wurde die
Probenhalterung mit flüssigem Stickstoff (
), mit einem
Trockeneis-Aceton-Gemisch, mit einem Eis-Wasser-Gemisch und mit Wasser bei
Raumtemperatur (
) gekühlt. Zusätzlich wurde die Temperatur der
Halterung noch mit einem Infrarot-Thermometer (Spektralbereich 7 bis
) gemessen, um den globalen Temperaturanstieg während der
Implantation zu überwachen (
). Dadurch konnten
konstante Substrattemperaturen von 82, 197, 274 und 296
erzielt
werden
.
Um nun die Gitterschäden des implantierten Wafers untersuchen zu können,
wurde ein Cross-section transmission electron Mikroskop (X-TEM)
verwendet. Abbildung 5.1 zeigt eine komplette Sequenz von
X-TEM Bildern, die eindrucksvoll die Entwicklung der primären
Implantationsschäden und das Enstehen einer amorphen Schicht zeigen, wenn
D bei kontinuierlich erhöht wird.
Basierend auf solchen X-TEM Aufnahmen konnte die Lage der amorphen Schichten vermessen und die Dicke der amorphen-kristallinen (a/k) Grenzschichten ermittelt werden. Dabei wurden nur solche Gebiete als amorph angesehen, die keine sichtbaren Mikrokristallite enthielten.