Um ein Gefühl für die komplexen Vorgänge bei der Amorphisierung zu
erhalten, wurden zuerst verschiedenste experimentelle Daten analysiert und
ausgewertet
[Wes69, May70, Mor70, Mor72, Mas86, Mot91a, Mot91b, Mot92, Har93, Zha93, EK95]. Die
Arbeit von Maszara und Rozgonyi [Mas86] enthält detaillierte Analysen
von Silicon self-implantation Experimenten, d.h., es wurde ein
(100) Silizium-Wafer unter exakt vorgegebenen Randbedingungen mit
Siliziumionen bestrahlt. Auf Grund der in dieser Veröffentlichung
enthaltenen fundierten Daten war es möglich, ein Amorphisierungsmodell für
Monte Carlo Simulatoren zu entwickeln.
