Diese Arbeit beschäftigt sich mit der lokalen Energieumwandlung im Halbleiter aufgrund des gekoppelten Transports von Ladungsträgern und Energie. Der Schwerpunkt liegt auf der Analyse thermoelektrischer Volumseffekte. Thermoelektrische Effekte an Grenzschichten, z.B. am Metall-Halbleiter Übergang werden nicht behandelt. Tieftemperaturprobleme können mit dem vorgestellten Transportmodell nicht adäquat beschrieben werden.
Der Einfluß von Magnetfeldern auf den Ladungsträgertransport im Halbleiter wird nicht behandelt. Deshalb werden galvanomagnetische Effekte wie die Änderung der elektrischen Leitfähigkeit im Magnetfeld und der Hall-Effekt nicht berücksichtigt [71], [91], [165], [177], [201]. Ebensowenig werden thermomagnetische Effekte wie Nernst-Effekt, Ettingshausen-Effekt und Righi-Leduc-Effekt in die Überlegungen einbezogen [71], [91], [165], [177], [201].
Die thermoelektrische Wechselwirkung wird nur im elektrisch aktiven Gebiet des Bauelements untersucht. Die Tatsache, daß das thermisch maßgebliche Gebiet viel größer ist, wird nicht besonders berücksichtigt [110], [203]. Thermische Analysen auf Schaltkreisebene sowie Untersuchungen zur Optimierung der Wärmeabfuhr unter Berücksichtigung verschiedener Montagearten und Gehäuseformen liegt außerhalb der Aufgabenstellung [24], [117], [159].
Die Diskussion der mikroskopischen Grundlagen der thermoelektrischen Erscheinungen erfolgt ausschließlich auf der Basis der kinetische Theorie. Methoden der Fluktuationstheorie oder der Theorie stochastischer Prozesse werden nicht verwendet [86].
Zur Lösung des thermoelektrischen Transportproblems werden numerische Standardmethoden der Bauelementesimulation verwendet. Analytische [24], [74], [110], [159] oder semianalytische [119] Methoden sind im Rahmen dieser Arbeit nicht anwendbar. Es sei angemerkt, daß die Lösung thermoelektrischer Probleme mit Variationsmethoden möglich scheint. Dabei muß von Extremalprinzipien der irreversiblen Thermodynamik ausgegangen werden, z.B. vom Prinzip der kleinsten Entropieproduktion, oder von Nichtgleichgewichtspotentialen sogenannter Dissipationsfunktionen [90]. Eine weitere Möglichkeit stellt die 'boundary element'-Methode dar [118].
Die in dieser Arbeit enthaltenenen Anwendungen sind auf Leistungshalbleiterbauelemente beschränkt.