Der Grad der Potentialkopplung zwischen
Front- und Backinterface ist stark von der
homogene Substratdotierung abhängig.
Existiert eine solche Potentialkopplung,
so werden die Störstellen am Backinterface
gemeinsam mit denen des Frontinterface umgeladen.
Das CP-Signal des Backinterface
tritt additiv zum CP-Signal des Frontinterface hinzu,
und es entsteht eine ausgeprägte Spitze in der
-Kurve.
Die Differenz dieses Spitzenwertes von 
gegen das Plateau,
welches das CP-Signal des Frontinterface darstellt,
ist proportional zum Streifen des verbotenen Bandes
, der
- unter Berücksichtigung der von 
abhängigen
Emissionsverluste - aufgrund der
Grenzflächen-Potentialvariation
am Backinterface überstrichen wird.
Im unteren Teil der Abbildung 4.8 sind die
Simulationen von CP-Signalen eines solchen Experimentes
für drei verschiedene Werte der Substrat-Dotierung
wiedergegeben.
Der Wert 
nimmt mit steigender Substratdotierung ab und
die dazugehörige Abszisse rückt zu steigenden Werten der
Backgate-Spannung.
Die Abszissenlage des Maximums ist andererseits
stark abhängig vom Wert einer eventuellen fixierten Oxidladung
am Backinterface. Ein zusätzlicher Freiheitsgrad ist
durch den Typ der Störstellen gegeben.
Im allgemeinen kann eine Kombination von donator- und
akzeptorartigen Störstellen sowie eine fixierte Oxidladung
vorliegen. Bei den Simulationen gemäß
Abbildung 4.8 wurden akzeptorartige
Störstellen und eine verschwindende Dichte
fixierter Oxidladungen 
angenommen.
Abbildung: Experiment und Simulation von in Abhängigkeit
von 
für verschiedene
Werte von der Frontgate-Spannung
(oberes Bild, experimentelle Kurven punktiert).
Im unteren Teil sind die Stationärwerte
von 
am Backinterface für die Spitzenwerte
von 
(
) gegeben.
Die Abszissenlage des Maximums von
korrespondiert gut mit der symmetrischen Lage
der beiden 
bezüglich 
(vertikal strichliert markiert).