Inhaltsverzeichnis

• Kurzfassung - Abstract
• Vorwort und Dank
• Erratum
• 1 Das transiente Randwertproblem
  • 1.1 Die zeitabhängigen Halbleitergleichungen
  • 1.2 Lösung des Systems nichtlinearer Gleichungen
    • 1.2.1 Der Algorithmus von Mock
    • 1.2.2 Hybrider Mock-Gummel-Algorithmus
    • 1.2.3 Integration in den Simulator MINIMOS
  • 1.3 Einige Anwendungen
    • 1.3.1 Kurzkanaltransistor - Vergleich der drei Verfahren
    • 1.3.2 MOSFET-Einschaltverzögerung
    • 1.3.3 Elektronen-Injektion in das Substrat
• 2 Kontaktstrom-Integration
  • 2.1 Die Methode der Gewichtsfunktionen
  • 2.2 Analyse von Rundungsproblemen
  • 2.3 Die Methode von Nanz
  • 2.4 Die neue Methode
  • 2.5 Beispiele
    • 2.5.1 Doppel-Gate-MOS-Diode
    • 2.5.2 SOI-MOSFET
    • 2.5.3 Substrat-MOSFET
  • 2.6 Genauigkeit des Verfahrens
    • 2.6.1 Doppel-Gate-MOS-Diode
    • 2.6.2 SOI-MOSFET
    • 2.6.3 Substrat-MOSFET
    • 2.6.4 CP-Experiment
  • 2.7 Aspekte der Implementation
  • 2.8 Zusammenfassung
• 3 Zeitveränderliche Generations- und Rekombinationsprozesse
  • 3.1 Die SRH-Ratengleichungen
  • 3.2 Stationärer Zustand
  • 3.3 Ausgleichsvorgänge
  • 3.4 Grenzflächen-Störstellen
  • 3.5 Emissionstheorie verteilter Störstellen
  • 3.6 Kopplung mit den Halbleitergleichungen
  • 3.7 Stabilitäts- und Konvergenztheorie
  • 3.8 Ableitungen nach , und
  • 3.9 Numerische Lösung und Implementation
  • 3.10 Stationäre und nichtstationäre Emission
  • 3.11 Der Charge Pumping Effekt
• 4 Analyse von CP-Experimenten in SOI-Bauelementen
  • 4.1 CP-Experiment in SOI-Bauelementen
    • 4.1.1 CP-Experiment in Dünnfilm SOI -Dioden
    • 4.1.2 Grenzschichtkopplung
    • 4.1.3 Geometrische CP-Komponenten
    • 4.1.4 Problemstellungen
  • 4.2 Numerisches Modell
  • 4.3 Parameter-Extraktion
    • 4.3.1 Effektive Gate-Länge
    • 4.3.2 Mittlere Störstellendichten ,
    • 4.3.3 Energetische Verteilung der Störstellen
  • 4.4 CP-Effekt am Backinterface
    • 4.4.1 CP-Einsatz- und CP-Flachbandspannung
    • 4.4.2 Einfluß der Substratdotierung
    • 4.4.3 Einfluß von
    • 4.4.4 Einfluß von
  • 4.5 Mechanismus parasitärer CP-Komponenten
    • 4.5.1 Transiente Generations- und Rekombinationsströme
    • 4.5.2 Elektronen und Löcher-Komponente im Vergleich
    • 4.5.3 Abhängigkeit von der Kanallänge
  • 4.6 Zusammenfassung und Ausblick
• 5 Lineare Gleichungssysteme in Bauelement-Simulatoren
  • 5.1 Die diskretisierten Gleichungen im Gummel-Algorithmus
  • 5.2 Ausgewählte iterative Prozeduren
    • 5.2.1 Das klassische CG-Verfahren
    • 5.2.2 Das SCG-Verfahren
    • 5.2.3 GMRES
    • 5.2.4 BiCG, CGS und BiCGSTAB
  • 5.3 Vorkonditionierung
    • 5.3.1 Unvollständige LU- und tridiagonale Faktorisierung
    • 5.3.2 Mehrfarbenordnungen und das reduzierte System
    • 5.3.3 Polynomiale Vorkonditionierung
  • 5.4 Konvergenzverhalten
• 6 Vektor- und Parallelrechner-Implementationen
  • 6.1 Vektorisierung
  • 6.2 Resultate auf der CM-2
  • 6.3 Diskussion mit Schlußfolgerungen
• Literaturverzeichnis
• Abbildungsverzeichnis
• Tabellenverzeichnis
• Eigene Veröffentlichungen
• Curriculum Vitae
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