Die in diesem Kapitel dargelegten numerischen
Ergebnisse stellen den ersten ernsthaften Versuch dar,
das Charge Pumping Experiment in SOI Strukturen
durch selbstkonsistente Simulationen vollständig
zu beschreiben. Der Rahmen dieser Berechnungen ist
physikalisch eingegrenzt durch die Shockley-Read-Hall
Theorie und die klassischen Halbleitergleichungen.
Hinsichtlich der Numerik
wurden die Simulationen in zwei räumlichen, einer
zeitlichen und einer energetischen
Dimension durchgeführt. Die Gültigkeit dieser
Modelle wurde durch den Vergleich mit Meßergebnissen
überprüft und kritische Bereiche von Parametern isoliert.
Mit einem Minimum an Kenntnis wichtiger Parameter
können kritische Effekte, die beim
CP-Experiment in Dünnfilm SOI 
-Dioden auftreten,
simuliert werden: Die Grenzflächenkopplung und der Effekt
dimensionaler Signalanteile, die eine Folge
der Diodengeometrie sind.
Weiterführende CP-Experimente [23]
auf Dünnfilm SOI -Dioden lassen eine
räumlich stark inhomogene Verteilung der
Grenzflächen-Zustände vermuten.
Solche Inhomogenitäten treten mit großer
Wahrscheinlichkeit sowohl in lateraler Richtung
an den Dotierungsgrenzen als auch in
Kanalweitenrichtung an der LOCOS Kante auf.
Durch CP-Experimente mit lateraler
Profilierung kann Aufschluß über die räumliche
Verteilung der Störstellen gewonnen werden.
Das Einbringen solcherart gewonnener Verteilungen
in die numerische Simulationen wird
zweifellos zu einem besseren Verständnis
des Verlaufs der CP-Signale führen.
Gleichermaßen wichtig ist die Identifikation
der energetischen Störstellen-Verteilung
am Backinterface durch geeignete Experimente.
Es ist zu vermuten, daß erst dann eine
eindeutige Unterscheidung zwischen den
dimensionalen Komponenten einerseits
und den Komponenten des
CP-Signals der Störstellen am Backinterface andererseits
möglich sein wird.