Abbildung: Messung und Simulation von 
in Abhängigkeit von den Flankensteilheiten (
=
)
der Frontgate-Spannung 
für verschiedene
geometrische Kanallängen 
der 
-Diode. Resultate für invertiertes (oberes Bild, 
=
)
und akkumuliertes (unteres Bild, =
) Backinterface.
Die Größe der geometrischen Komponente ist stark von der
Kanallänge der -Diode abhängig, wobei der
Zustand des Backinterface als zusätzlicher Parameter auftritt.
In der Abbildung 4.12 sind
Meßergebnisse und Simulationen des CP-Stromes
in Abhängigkeit der Steig- und Fallzeiten
der Frontgate-Spannung (=) dargestellt,
wobei die Kanallänge (
, 
, 
, 
und 
)
als Parameter auftritt.
Die Simulation gibt den gemessenen Effekt deutlich wieder.
Die Übereinstimmung von Messung und Simulation
ist insbesondere für die Kurzkanaldioden sehr gut.
Die größere Abweichung der Langkanaldioden
(
und 
) kann durch die Unsicherheit
der für die Grenzflächen-Rekombination
effektiven Kanallänge 
erklärt werden.
Im oberen Teil der Abbildung 4.12
ist das Backinterface in
Inversion, sodaß Mechanismus A dominiert. Im unteren
Teil der Abbildung 4.12
ist das Backinterface in Akkumulation, sodaß Mechanismus B
dominiert.
Bemerkenswert ist, daß die im oberen Teil der
Abbildung deutlich zu beobachtende Sättigung im
CP-Signal für die Kanallängen von und
durch die Simulation nicht erfaßt wird.