In der Abbildung 4.10 sind die
Grenzflächen-Generationsströme 
für
Elektronen und Löcher für das Frontinterface (FI)
und das Backinterface (BI) getrennt dargestellt.
Beim oberen Teil der Abbildung handelt es sich um
die steigende Pulsflanke der Frontgate-Spannung,
wobei sich das Backinterface
- korrespondierend zum Mechanismus A - in Inversion befindet.
Der untere Teil der Abbildung korrespondiert
zum Mechanismus B: Fallende Pulsflanke der Frontgate-Spannung,
das Backinterface befindet sich in Akkumulation.
Abbildung 4.10: Grenzflächen-Generationsströme an
Front- (FI) und Backinterface (BI):
Invertiertes Backinterface (
=
)
bei steigender Flanke der Frontgate-Spannung
im oberen Bild; akkumuliertes
Backinterface (=
)
bei fallender Flanke der Frontgate-Spannung
im unteren Bild.
-BI im oberen Bild und
-BI im unteren Bild
(beide punktiert eingetragen)
erzeugen die parasitäre CP-Komponente.