Zur Bestimmung der effektiven Gate-Länge
wurde das CP-Experiment für Dioden mit
verschiedenen geometrischen Gate-Längen 
bei mehreren Meßfrequenzen 
simuliert.
(Abbildung 4.5 bzw. Abbildung 2 in [76]).
Das Source/Drain-Profil ist für alle Dioden identisch.
Je nach der geometrischen Gate-Länge
ergibt sich als Resultat eine Familie von CP-Signalen,
die näherungsweise linear von der geometrischen Kanallänge ,
die an der x-Achse aufgetragen wird, abhängen.
Die x-Achse wird bei der Länge
=
=
durchstoßen.
Bei dieser geometrischen Gate-Länge ist keine
für den CP-Effekt nutzbare Kanaloberfläche mehr vorhanden.
Aus der Abbildung 2 in [76] ist abzulesen,
daß 
ist.
Bei der Abbildung 2 in [76] fehlt
die Angabe der Meßfrequenzen, weswegen von einer Wiedergabe
dieser gemessenen Kurven in Abbildung 4.5
Abstand genommen wurde.
Mit dem in MINIMOS vorhandenen elementaren
Prozeß-Simulator wurde ein Dotierungsprofil
entworfen, das auf soeben besprochene Weise
eine effektive Gate-Länge von ergibt
und dessen Parameter in der Tabelle 4.2
zusammengefaßt sind.
Die mit diesem Profil simulierten CP-Ströme
gemäß Abbildung 2 in [76] sind in der
Abbildung 4.5 dargestellt.
Abbildung: 
in Abhängigkeit der geometrischen Frontgate-Länge
für verschiedene Meßfrequenzen . Der Schnittpunkt
der Kurven mit der x-Achse bei = definiert
die effektive Kanallänge =
.
Tabelle: MINIMOS Dotierungsprofil-Parameter der Dünnfilm SOI 
-Diode.
Zur Nomenklatur dieser Parameter siehe [95].